| 主权项 |
一种发光装置，其特征系具备：于基板上，具有阳极、和拥有对应于前述阳极之形成位置之开口部的间隔壁、和设于前述开口部的有机发光层、和被覆前述间隔壁及前述有机发光层的阴极之发光元件、和使被覆较前述发光元件之形成领域为广之范围地，经由有机化合物所形成之有机缓冲层、和使被覆较前述有机缓冲层之形成领域为广之范围地，经由无机化合物所形成之气体阻障层；前述有机缓冲层系具有第1之有机缓冲层、和层积于前述第1之有机缓冲层上的第2之有机缓冲层；前述第2之有机缓冲层系被覆较前述第1之有机缓冲层之形成领域为广之范围。如申请专利范围第1项之发光装置，其中，于前述阴极与有机缓冲层间，形成由无机化合物所成阴极保护层。如申请专利范围第1项之发光装置，其中，前述第2之有机缓冲层之范围乃设置成以较前述第1之有机缓冲层之范围为广之范围加以被覆者。如申请专利范围第3项之发光装置，其中，前述第1之有机缓冲层乃具有以较前述复数之发光元件范围为广之范围所被覆之一定厚度之第1之一定部分、和包围前述第1之一定部分，朝向终端部渐趋变薄之第1之外端部分；前述第2之有机缓冲层乃具有以较前述复数之发光元件范围为广之范围所被覆之一定厚度之第2之一定部分、和包围前述第2之一定部分，朝向终端部渐趋变薄之第2之外端部分；于前述第1之一定部分，重叠前述第2之一定部分及前述第2之外端部分，前述第1之一定部分乃较前述第2之一定部分为薄者。如申请专利范围第3或第4项之发光装置，其中，于前述第1之有机缓冲层之终端部中，前述第1之有机缓冲层上面与前述基板上面所成角度为20度以下者。如申请专利范围第1项之发光装置，其中，前述第1之有机缓冲层之范围乃设置成以较前述第2之有机缓冲层之范围为广之范围加以被覆者。如申请专利范围第6项之发光装置，其中，前述第1之有机缓冲层乃具有以较前述复数之发光元件范围为广之范围所被覆之一定厚度之第1之一定部分、和包围前述第1之一定部分，朝向终端部渐趋变薄之第1之外端部分；前述第2之有机缓冲层乃具有以较前述复数之发光元件范围为广之范围所被覆之一定厚度之第2之一定部分、和包围前述第2之一定部分，朝向终端部渐趋变薄之第2之外端部分；于前述第2之一定部分，重叠前述第1之一定部分及前述第1之外端部分，前述第2之一定部分乃较前述第1之一定部分为薄者。如申请专利范围第6或第7项之发光装置，其中，于前述第2之有机缓冲层之终端部中，前述第2之有机缓冲层上面与前述基板上面所成角度为20度以下者。一种电子机器，其特征乃具备如申请专利范围第1项至第8项之任一项之发光装置。一种发光装置，其特征系具备：于基板上，具有阳极、和拥有对应于前述阳极之形成位置之开口部的间隔壁、和设于前述开口部的有机发光层、和被覆前述间隔壁及前述有机发光层的阴极之发光元件、和使被覆较前述发光元件之形成领域为广之范围地，经由有机化合物所形成之有机缓冲层、和使被覆较前述有机缓冲层之形成领域为广之范围地，经由无机化合物所形成之气体阻障层；前述有机缓冲层系具有第1之有机缓冲层、和层积于前述第1之有机缓冲层上的第2之有机缓冲层；前述第1之有机缓冲层系被覆较前述第2之有机缓冲层之形成领域为广之范围。 |
