| 主权项 |
一种于增量步阶脉冲中决定一结束偏压的方法，包含：施加一第一编程电压至被选择之数个记忆胞元，以测量该等记忆胞元之一第一临界电压；施加一第二编程电压至该等记忆胞元，以测量该等记忆胞元之一第二临界电压，其中将该第一编程电压加上该第一临界电压之一最低临界电压与该第一临界电压之一中间临界电压之间的一差值来决定该第二编程电压；重复施加一新的编程电压至该等记忆胞元，以测量该等记忆胞元之新的临界电压直到该等记忆胞元之该新的临界电压高于一确认电压，其中将该第二编程电压加上在先前步骤中所测量之该第二临界电压之一最低临界电压与该第一临界电压之一中间临界电压之间的一差值来增加该新的编程电压；及当该等记忆胞元之该新的临界电压之一最低临界电压高于该确认电压时，定义该新的编程电压来作为该结束偏压。如申请专利范围第1项之方法，其中施加一正电压至与该等记忆胞元联结之一汲极选择线、施加一零(0)伏特至与该等记忆胞元联结之一源极选择线及施加一通过电压至未被选择之数个记忆胞元的一字元线、施加一零(0)伏特至与该等记忆胞元联结之一位元线及施加一Vcc电压至未被选择之数个记忆胞元的一位元线，以测量该第一临界电压。一种编程一快闪记忆体装置之方法，包含：施加一第一编程电压至被选择之数个记忆胞元，以测量该等记忆胞元之一第一临界电压；施加一第二编程电压至该等记忆胞元，以测量该等记忆胞元之一第二临界电压，其中将该第一编程电压加上该第一临界电压之一最低临界电压与该第一临界电压之一中间临界电压之间的一差值来决定该第二编程电压；重复施加一新的编程电压至该等记忆胞元，以测量该等记忆胞元之一新的临界电压直到该等记忆胞元之该新的临界电压高于一确认电压，其中将该第二编程电压加上在先前步骤中所测量之该第二临界电压之一最低临界电压与该第一临界电压之一中间临界电压之间的一差值来增加该新的编程电压；当该等记忆胞元之该新的临界电压之一最低临界电压高于该确认电压时，定义该新的编程电压来作为一增量步阶脉冲的一结束偏压；及施加该增量步阶脉冲至该快闪记忆体之一字元线。如申请专利范围第3项之方法，其中在该定义步骤之后进一步包含一抹除该等记忆胞元之步骤。一种于增量步阶脉冲中决定一开始偏压之方法，包含：施加一第一编程电压至被选择之数个记忆胞元，以测量该等记忆胞元之一第一临界电压；施加一第二编程电压至该等记忆胞元，以测量该等记忆胞元之一第二临界电压，其中从该第一编程电压减去该第一临界电压之一最高临界电压与该第一临界电压之一中间临界电压之间的一差值来决定该第二编程电压；重复施加一新的编程电压至该等记忆胞元，以测量该等记忆胞元之一新的临界电压直到该等记忆胞元之该新的临界电压高于一确认电压，其中从该第二编程电压减去在先前步骤中所测量之该第二临界电压之一最高临界电压与该第一临界电压之一中间临界电压之间的一差值来减少该新的编程电压；及当该等记忆胞元之该新的临界电压之一最低临界电压高于该确认电压时，定义从该新的编程电压减去该新的临界电压之一中间临界电压与该第一临界电压之一中间临界电压之间的一差值而得到之一电压来作为该开始偏压。如申请专利范围第5项之方法，其中施加一正电压至与该等记忆胞元联结之一汲极选择线、施加一零(0)伏特至与该等记忆胞元联结之一源极选择线及施加一通过电压至未选择之数个记忆胞元的一字元线、施加一零(0)伏特至与该等记忆胞元联结之一位元线及施加一Vcc电压至未选择之数个记忆胞元的一位元线，以测量该第一临界电压。一种编程一快闪记忆体装置之方法，包含：施加一第一编程电压至被选择之数个记忆胞元，以测量该等记忆胞元之一第一临界电压；施加一第二编程电压至该等记忆胞元，以测量该等记忆胞元之一第二临界电压，其中从该第一编程电压减去该第一临界电压之一最高临界电压与该第一临界电压之一中间临界电压之间的一差值来决定该第二编程电压；重复施加一新的编程电压至该等记忆胞元，以测量该等记忆胞元之一新的临界电压直到该等记忆胞元之该新的临界电压高于一确认电压，其中从该第二编程电压减去在先前步骤中所测量之该第二临界电压之一最高临界电压与该第一临界电压之一中间临界电压之间的差值来减少该新的编程电压；当该等记忆胞元之该新的临界电压之一最低临界电压高于该确认电压时，定义从该新的编程电压减去该新的临界电压之一中间临界电压与该第一临界电压之一中间临界电压之间的差值而得到之一电压来作为在一增量步阶脉冲中的该开始偏压；及施加该增量步阶脉冲至该快闪记忆体之一字元线。如申请专利范围第7项之方法，其中在该定义步骤之后进一步包含一抹除该等记忆胞元之步骤。一种于增量步阶脉冲中决定一开始偏压之方法，包含：设定一开始偏压及一结束偏压；施加一编程电压至被选择之数个记忆胞元，以编程该等被选择之记忆胞元，其中该编程电压从该开始电压递增并在该等记忆胞元之一临界电压高于一确认电压时停止；当该等记忆胞元之该临界电压高于该确认电压时，侦测该结束偏压与该编程电压之间的一电压差；及从该开始偏压减去该电压差来定义一新的开始偏压。如申请专利范围第9项之方法，其中施加一正电压至与该等记忆胞元联结之一汲极选择线、施加一零(0)伏特至与该等记忆胞元联结之一源极选择线及施加一通过电压至未选择之数个记忆胞元的一字元线、施加一零(0)伏特至与该等记忆胞元联结之一位元线及施加一Vcc电压至未选择之数个记忆胞元的一位元线，以执行该施加步骤。一种编程一快闪记忆体之方法，包含：设定一开始偏压及一结束偏压；施加一编程电压至被选择之数个记忆胞元，以编程该等被选择之记忆胞元，其中该编程电压从该开始电压递增并在该等记忆胞元之一临界电压高于一确认电压时停止；当该等记忆胞元之该临界电压高于该确认电压时，侦测该结束偏压与该编程电压之间的一电压差；从该开始偏压减去该电压差来于一增量步阶脉冲中定义一新的开始偏压；及施加该增量步阶脉冲至该快闪记忆体之一字元线。如申请专利范围第11项之方法，其中在该定义步骤之后进一步包含一抹除该等记忆胞元之步骤。 |
