| 主权项 |
一种半导体装置，其特征系具备：配线，其系沿着半导体晶片的外周为了检测出破损而形成；检测电路，其系为了将用以检测出上述配线的断线之检测信号供给至上述配线，而设于上述半导体晶片；及输出端子，其系用以输出流动于上述配线的上述检测信号，上述检测电路所供给至配线的检测信号，系具有接地电位及电源电位。一种半导体装置，其特征系具备：配线，其系沿着半导体晶片的外周为了检测出破损而形成；检测电路，其系为了将用以检测出上述配线的断线之检测信号供给至上述配线，而设于上述半导体晶片；及输出端子，其系用以输出流动于上述配线的上述检测信号，上述检测信号为脉冲信号，上述检测电路系于测试模式时将上述脉冲信号供给至上述配线。一种半导体装置，其特征系具备：配线，其系沿着半导体晶片的外周为了检测出破损而形成；检测电路，其系为了将用以检测出上述配线的断线之检测信号供给至上述配线，而设于上述半导体晶片；及输出端子，其系用以输出流动于上述配线的上述检测信号，更具备内周侧配线，其系沿着上述配线的内周侧来配置，具有接地电位或电源电位。一种半导体装置，其特征系具备：配线，其系沿着半导体晶片的外周为了检测出破损而形成；检测电路，其系为了将用以检测出上述配线的断线之检测信号供给至上述配线，而设于上述半导体晶片；及输出端子，其系用以输出流动于上述配线的上述检测信号，更具备热应力施加手段，其系对上述半导体晶片施加热应力。如申请专利范围第4项之半导体装置，其中，上述热应力施加手段系包含：发热体，其系沿着上述配线来配置；及电源供给电路，其系对上述发热体供给电源。如申请专利范围第5项之半导体装置，其中，上述发热体系藉由扩散层或多结晶矽所形成。如申请专利范围第5项之半导体装置，其中，上述发热体系互相并列设置于，沿着上述半导体晶片的外周而配置的电源供给配线、与沿着上述电源供给配线而配置的接地配线之间。如申请专利范围第5项之半导体装置，其中，上述热应力施加手段更包含温度控制电路，其系根据上述半导体晶片的温度来控制往上述发热体的电源供给。如申请专利范围第4项之半导体装置，其中，更具备切换电路，其系将为了供给电源而设置的电源电路连接至设于上述半导体晶片的内部电路及上述热应力施加手段的其中之一。如申请专利范围第1~4项中任一项所记载之半导体装置，其中，更具备：内部电路，其系设于上述半导体晶片；及输出切换电路，其系选择来自上述内部电路的输出信号、及流动于上述配线的上述检测信号的其中之一，而供给至上述输出端子。如申请专利范围第10项之半导体装置，其中，上述输出切换电路系于测试模式时选择上述检测信号而供给至上述输出端子。如申请专利范围第10项之半导体装置，其中，上述内部电路系具有上拉电阻、下拉电阻、开启电晶体及关闭电晶体的其中至少一个。 |
