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一种CMOS串接(cascade)比较器，包括：一第一开关，具有一第一端、一控制端及一第二端，该第一端接收一输入电压，该控制端接收一第一控制信号；一第二开关，具有一第一端、一控制端及一第二端，该第一端接收一参考电压，该控制端接收一第二控制信号，该第二端连接于该第一开关的该第二端；一电容，具有一第一端及一第二端，该第一端同时连接于该第一开关的该第二端以及该第二开关的该第二端；一第三开关，具有一第一端、一控制端及一第二端，该第一端连接于该电容的该第二端以构成一第一节点并具有一第一节点电压，该控制端接收一第三控制信号，该第二端构成一第二节点并具有一第二节点电压；一NMOS，具有一汲极端、一闸极端及一源极端，该汲极端连接于该第二节点，该闸极端连接于该第一节点，该源极端连接于一低电压源；一第一PMOS，具有一源极端、一闸极端及一汲极端，该源极端连接于一高电压源，该闸极端连接于该第一节点，该汲极端连接于该第二节点；以及一偏压电流源，耦合于该NMOS，用以提供一偏压电流至该NMOS，使得在该第一控制信号断开该第一开关、该第二控制信号导通该第二开关以及该第三控制信号断开该第三开关之时的该第一节点电压，能够等于该第一控制信号导通该第一开关、该第二控制信号断开该第二开关以及该第三控制信号导通该第三开关之时的该第一节点电压与该第二节点电压之间的一压差。如申请专利范围第1项之CMOS串接比较器，其中该CMOS串接比较器可应用于一类比数位转换器(A/D Converter)。如申请专利范围第1项之CMOS串接比较器，其中该第一、第二及第三开关皆为一NMOS，且三个开关的该第一端分别为各该NMOS的源极端，三个开关的该控制端分别为各该NMOS的闸极端，三个开关的该第二端分别为各该NMOS的汲极端。如申请专利范围第1项之CMOS串接比较器，其中该第一控制信号与该第三控制信号同相位但与该第二控制信号反相位。如申请专利范围第1项之CMOS串接比较器，其中该高电压源为1.8伏特，该低电压源为0伏特。如申请专利范围第1项之CMOS串接比较器，其中该偏压电流源包括：一第二PMOS，具有一源极端、一闸极端及一汲极端，该源极端连接于该高电压源，该汲极端连接于该第二节点；一第三PMOS，具有一源极端、一闸极端及一汲极端，该源极端连接于该高电压源，该闸极端连接于该第二PMOS的该闸极端；以及一电阻，具有一第一端及一第二端，该第一端同时连接于该第三PMOS的该闸极端与该汲极端，该第二端连接于该低电压源。如申请专利范围第1项之CMOS串接比较器，其中该偏压电流源包括：一第一pnp BJT，具有一射极端、一基极端及一集极端，该射极端连接于该高电压源，该集极端连接于该第二节点；一第二pnp BJT，具有一射极端、一基极端及一集极端，该射极端连接于该高电压源，该基极端连接于该第一pnp BJT的该基极端；以及一电阻，具有一第一端及一第二端，该第一端同时连接于该第二pnp BJT的该基极端与该集极端，该第二端连接于该低电压源。一种CMOS串接(cascade)比较器的控制方法，该CMOS串接比较器包含一第一开关、一第二开关、一第三开关、一电容以及一单端(Single-ended)CMOS反相器，该第一开关与该第二开关同时电连接于该电容之一端，该电容之另一端同时电连接于该单端CMOS反相器与该第三开关，该单端CMOS反相器是由一NMOS及一PMOS互相耦合而成，该控制方法包括：提供一偏压电流至该NMOS，以提升该CMOS串接比较器的一转态位准(VCM)。如申请专利范围第8项之CMOS串接比较器的控制方法，其中该CMOS串接比较器可应用于一类比数位转换器(A/D Converter)。 |
