| 主权项 |
一种非共同烧结晶圆双面之方法，系应用于太阳能电池之电极制程中的一半导体晶圆基板上，其方法包括：于该半导体晶圆基板之正面上进行一第一导电浆质物之涂布及乾燥的程序；将该半导体晶圆基板放置于一输送带上，且该半导体晶圆基板之反面面对该输送带；将该半导体晶圆基板之该正面进行烧结程序，使得该半导体晶圆基板之该正面上之第一导电浆质物可与该半导体晶圆基板之表面进行合金反应；于该半导体晶圆基板之该正面进行烧结程序后，翻转该半导体晶圆基板，使得该半导体晶圆基板被放置于该输送带上，且该半导体晶圆基板之该正面面对该输送带；于该半导体晶圆基板该反面上进行一第二导电浆质物之涂布及乾燥的程序；于该半导体晶圆基板之该反面之汇流排上进行一第三导电浆质物之涂布及乾燥的程序；以及将该半导体晶圆基板之该反面进行烧结程序，使得该半导体晶圆基板之该反面上之该第二导电浆质物及该第三导电浆质物与该半导体晶圆基板之表面进行合金反应。如申请专利范围第1项所述之方法，其中分别于涂布各该导电浆质物时，系应用一网印机，分别将各该导电浆质物以涂印之方式，制作于半导体晶圆基板上。如申请专利范围第2项所述之方法，其中分别于该半导体晶圆基板上进行乾燥之程序时，系分别使该半导体晶圆基板通过一烘炉装置，其烘炉之温度系低于该半导体晶圆基板进行烧结程序所需之温度。如申请专利范围第3项所述之方法，其中当该半导体晶圆基板之正面进行烧结程序时，依下列步骤进行：由该输送带带领该半导体晶圆基板，进入一具有复数种不同温度区之烧结装置中；使该烧结装置对该半导体晶圆基板正面之该第一导电浆质物进行加热，并使该第一导电浆质物与该半导体晶圆基板之正面产生欧姆接触；以及并监控该半导体晶圆基板与其正面上之该第一导电浆质物于该烧结装置之任一该些温度区中合金反应之过程。如申请专利范围第4项所述之方法，其中当该半导体晶圆基板分别于通过各该温度区时，依下列步骤进行：使该烧结装置至少利用温度调变、功率调变或该输送带之输送速度其中之一，对各该温度区进行细部调整升温及降温之幅度；以及于该半导体晶圆基板通过烧结装置后，纪录该半导体晶圆基板之正面与其上之该第一导电浆质物所进行合金反应之串联电阻、光电流状态。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该半导体晶圆基板于0.5~5秒钟内通过该烧结装置。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该烧结装置之该些温度区，分别介于摄氏750~1000度间。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该第一导电浆质物为含银成分之浆物质。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该第一导电浆质物为含铝成分之浆物质。如申请专利范围第3项所述之方法，其中当该半导体晶圆基板之反面进行烧结程序时，依下列方式进行：由该输送带带领该半导体晶圆基板，进入一具有复数种不同温度区之烧结装置中；使该烧结装置对该半导体晶圆基板反面之该第二及三导电浆质物进行加热，并使该第二及三导电浆质物分别与该半导体晶圆基板之反面产生欧姆接触；以及并监控该半导体晶圆基板与其反面上之该第二及三导电浆质物于该烧结装置中之任一该些温度区合金反应之过程。如申请专利范围第10项所述之方法，其中当该半导体晶圆基板分别于通过各该温度区时，依下列步骤进行：使该烧结装置至少利用温度调变、功率调变或该输送带之输送速度其中之一，对各该温度区进行细部调整升温及降温之幅度；以及于该半导体晶圆基板通过烧结装置后，纪录该半导体晶圆基板之反面与其上第二、三浆质物所进行合金反应之串联电阻、光电流状态。如申请专利范围第5或11项所述之方法，其中当该半导体晶圆基板于该烧结装置中行进时，对该烧结装置中施以氮气，降低该烧结装置内之含氧量。如申请专利范围第10项所述之方法，其中该半导体晶圆基板于5~180秒钟内通过该烧结装置。如申请专利范围第10项所述之方法，其中该烧结装置之该些温度区，分别介于摄氏400~700度间。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该第二导电浆质物为含银之浆质物。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该第二导电浆质物为含铝成分之浆质物。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该第三导电浆质物为含银及铝成分相混合之浆质物。 |
