| 主权项 |
一种微影图案化的方法，包括：于一基材上形成一第一材质层；于该第一材质层上形成具有至少一开口的一第一图案化光阻层；于该第一图案化光阻层和该第一材质层上方形成一第二材质层；于该第二材质层上形成具有至少一开口的一第二图案化光阻层；以及蚀刻该第一材质层和该第二材质层未被该第一图案化光阻层和该第二图案化光阻层所覆盖的部份。如申请专利范围第1项所述的微影图案化方法，其中该第一材质层和该第二材质层各自包含由一含矽材质和一含金属材质其中之一者。如申请专利范围第1项所述的微影图案化方法，其中该第一材质层和该第二材质层各自包含一化学单元，该化学单元系选自于由矽、钛、氮化钛、钽、铝、金属离子、金属复合物、有机金属以及上述任意组合所组成之一族群。如申请专利范围第1项所述的微影图案化方法，更包括在形成该第一材质层之前，在该基材之上形成一第三材质层。如申请专利范围第4项所述的微影图案化方法，其中该第三材质层的形成，包括形成一聚合材质，该聚合材质系选自于由有机聚合物、光阻、底部抗反射涂层以及上述任意组合所组成之一族群。如申请专利范围第4项所述的微影图案化方法，更包括在蚀刻该第一材质层和该第二材质层之后，再对未被该该第一材质层和该第二材质层所覆盖的该第三材质层进行蚀刻。如申请专利范围第6项所述的微影图案化方法，更包括在蚀刻该三材质层之后，再以该第三材质层为一硬质罩幕，对该基材进行蚀刻。如申请专利范围第7项所述的微影图案化方法，其中蚀刻该第三材质层的步骤包括使采用一电浆蚀刻剂，该电浆蚀刻剂系选自于由氧气电浆、氮气电浆、氢气、烷基卤化物以及上述之任意组合所组成之一群。如申请专利范围第1项所述的微影图案化方法，其中形成该第一材质层的步骤包括，形成一材质，该材质具有实质介于1.1至1.9之间的一折射系数，以及实质介于0.01至0.8之间的一吸收值。如申请专利范围第1项所述的微影图案化方法，其中形成该第一材质层和该第二材质层的步骤，各自包括提供一交联聚合材料。一种微影图案化方法，包括：在一幕材上形成一第一材质层；在该第一材质层上形成包含有至少一开口的一第一图案化光阻层；在该第一图案化光阻层的该开口中形成一第二材质层，其中该第二材质层相异于该第一材质层，该第二材质层包含一第一聚合物，该第一聚合物更包括一功能单元，该功能单元可增强蚀刻抵抗力；以及移除该第一图案画光阻层以形成由该第二材质层所组成的一图案，其中由该第二材质层所组成的该图案与该第一图案画光阻层互补。如申请专利范围第11项所述的微影图案化方法，更包括采用由该第二材质层所组成的该图案做为罩幕，在该第一材质层上形成开口。如申请专利范围第12项所述的微影图案化方法，更包括蚀刻经由该第一材质层之开口暴露于外的该基材。如申请专利范围第11项所述的微影图案化方法，其中该第一材质层实质不含矽，该第二材质层包含有矽。如申请专利范围第11项所述的微影图案化方法，其中该第一材质层实质不含金属，该第二材质层包含有金属。如申请专利范围第11项所述的微影图案化方法，其中该第二材质层包含有一组成份，该组成份选自于由有机聚合物、无机材质以及与第一图案画光阻层相异之溶剂系统所组成之一族群。如申请专利范围第11项所述的微影图案化方法，其中该第二材质层包括交联剂。如申请专利范围第11项所述的微影图案化方法，更包括在移除该第一图案化光阻层之前，对该第二材质层进行回蚀制程。如申请专利范围第11项所述的微影图案化方法，更包括：在由该第二材质层所组成的该图案和该基材之上形成具有至少一开口的一第二图案化光阻层；在该第二图案化光阻层的该开口之中形成一第三材质层；以及移除该第二图案化光阻层，以形成由该第三材质成所组成的一图案，其中由该第三材质成所组成的该图案与该第二图案化光阻层互补。如申请专利范围第19项所述的微影图案化方法，其中该第三材质层系实质与该第一材质层相似。如申请专利范围第19项所述的微影图案化方法，更包括使用该第二材质层和该第三材质层作为一罩幕，在该第一材质上形成开口。一种微影图案化的方法，包括：在一基材上形成包含有至少一开口的一第一图案化光阻层；在该第一图案化光阻层和该基材上方形成一第一硬质罩幕层；回蚀该第一硬质罩幕层，以暴露出该第一图案化光阻层；移除该第一图案化罩幕层；在该第一硬质罩幕层和该基材之上形成包含有至少一开口的一第二图案化光阻层；在该第二图案化光阻层和该基材上形成一第二硬质罩幕层；回蚀该第二硬质罩幕层以暴露出该第二图案化光阻层；以及移除该第二图案化罩幕层。如申请专利范围第22项所述的微影图案化方法，更包括蚀刻未被该第一硬质罩幕层和该第二硬质罩幕层所覆盖的该基材。如申请专利范围第22项所述的微影图案化方法，其中该第一硬质罩幕层和该第二硬质罩幕层各自包括矽、钛、氮化钛、铝和钽其中至少一者。如申请专利范围第22项所述的微影图案化方法，其中形成该第一硬质罩幕层和该第二硬质罩幕层之一者的步骤，包括形成一材质，该材质系选自于由矽、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽以及上述任意组合所组成之一族群。如申请专利范围第22项所述的微影图案化方法，其中形成该第一硬质罩幕层和该第二硬质罩幕层之一者的步骤，包括形成一含矽的有机聚合物材质及一含矽的无机聚合物其中之一者。如申请专利范围第26项所述的微影图案化方法，其中该含矽的无机聚合物包括氧化矽。如申请专利范围第22项所述的微影图案化方法，更包括一个蚀刻制程，用来修整该第一硬质罩幕层和该第二硬质罩幕层。 |
