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一种储存资料的非挥发记忆元件积体电路，包含：一电荷储存结构，其具有一代表资料之电荷储存状态；一个或多个电荷储存介电结构，其至少部分位于该电荷储存结构与一二极体结构之间，且至少部分位于该电荷储存结构与一闸极电压源之间；二极体结构中具有一第一节点与一第二节点，其系由一扩散障碍接面所分隔，该第一节点与该第二节点至少部分与该一个或多个电荷储存介电结构邻接，同时该二极体结构具有一截面，在其中该第二节点具有藉由一绝缘介电层与复数个相邻元件隔绝之相对面。如申请专利范围第1项之元件，其中该扩散障碍接面之厚度不大于20埃。如申请专利范围第1项之元件，其中之该扩散障碍接面的厚度不大于20埃，而该邻接扩散障碍接面系至少部分与该一或复数个电荷储存介电结构相连。如申请专利范围第1项之元件，其中更包含：一逻辑，其可施加一偏压安排以决定该电荷储存结构的该电荷储存状态，且可量测流经该二极体结构的反向偏压电流，以决定该电荷储存结构的该电荷储存状态。如申请专利范围第1项之元件，其中在反向偏压时流经该二极体结构的一读取电流，其可决定该电荷储存结构的该电荷储存状态。如申请专利范围第1项之元件，其中在反向偏压时流经该二极体结构的一能带间读取电流，其可决定该电荷储存结构的该电荷储存状态。如申请专利范围第1项之元件，其中该第二节点系经由各该相邻元件之一第二节点与各该相邻元件连接。如申请专利范围第1项之元件，其中该第二节点连接至一独立位元线，该位元线系独立于该相邻元件之第二节点所连接的位元线。如申请专利范围第1项之元件，其中该二极体结构为一萧特基二极体。如申请专利范围第1项之元件，其中该二极体结构为一pn二极体。如申请专利范围第1项之元件，其中该二极体之该扩散障碍接面包含一氧化物。如申请专利范围第1项之元件，其中该二极体之该扩散障碍接面包含一氮化物。如申请专利范围第1项之元件，其中该二极体之该扩散障碍接面包含一氮氧化物。如申请专利范围第1项之元件，其中该电荷储存结构包含一浮动闸极材料。如申请专利范围第1项之元件，其中该电荷储存结构包含一电荷捕捉材料。如申请专利范围第1项之元件，其中该电荷储存结构包含一奈米晶体材料。如申请专利范围第1项之元件，其中每一该电荷储存状态储存一位元。如申请专利范围第1项之元件，其中每一该电荷储存状态储存复数个位元。如申请专利范围第1项之元件，其中该二极体至少为单晶、多晶、或非晶之一。一种制造可储存资料的一非挥发记忆元件积体电路之方法，包含：提供一电荷储存结构，其具有一代表资料之电荷储存状态；提供一个或多个电荷储存介电结构，其系至少部分位于该电荷储存结构与一二极体结构之间，亦至少部分位于该电荷储存结构与一闸极电压源之间；以及提供具有一第一节点与一第二节点的该二极体结构，其系由一扩散障碍接面所分隔，该第一节点与该第二节点至少部分与该一或复数个电荷储存介电结构连接，同时该二极体结构具有一截面，在其中该第二节点具有藉由一绝缘介电层与复数个相邻元件隔绝之相对面。如申请专利范围第20项之方法，更包含：提供一逻辑，其可施加一偏压安排以决定该电荷储存结构的该电荷储存状态，且可量测流经该二极体结构的反向偏压电流，以决定该电荷储存结构的该电荷储存状态。一种可以储存资料的非挥发记忆元件积体电路，包含：一电荷储存结构功能手段；一或复数个电荷储存介电结构，其系至少部分位于该电荷储存结构设计与一二极体结构设计之间，亦至少部分位于该电荷储存结构设计与一闸极电压源之间；以及一第一节点与一第二节点位于该二极体结构设计中，该第一与该第二节点系由一扩散障碍接面设计所分隔，该第一节点与该第二节点至少部分与该一或复数个电荷储存介电结构设计连接，同时该二极体结构具有一截面，在其中该第二节点具有藉由一绝缘介电层与复数个相邻元件隔绝之相对面。如申请专利范围第22项之元件，更包含：一逻辑功能手段，其可施加一偏压安排以决定该电荷储存结构设计的该电荷储存状态，且可量测流经该二极体结构设计的反向偏压电流，以决定该电荷储存结构设计的该电荷储存状态。 |
