| 主权项 |
一种高电压工作场效应电晶体，至少包含：基板；设置于该基板之表面中之半导体通道形成区域；互相分隔开的源极区域以及汲极区域，且该半导体通道形成区域位在该源极区域以及汲极区域之间；闸极绝缘薄膜，设置于半导体通道形成区域之上；电阻性闸极，设置于该闸极绝缘薄膜上；以及源极侧电极，设置于该电阻性闸极之源极区域端部侧，以及汲极侧电极设置于该电阻性闸极之汲极区域端部侧，其中，讯号电位系供应至该源极侧电极，以及偏压电位系供应至该汲极侧电极，该偏压电位之绝对值等于或大于特定电位之绝对值且随着汲极电位增加或减少而改变。一种高电压工作场效电晶体，至少包含：基板；于该基板一表面中互相分隔开的源极区域以及汲极区域；设置于该基板之表面中之半导体通道形成区域，并位在该源极区域以及汲极区域之间；透过源极/汲极方向之区隔获得的复数个区隔闸极，并且设置于该半导体通道形成区域之上；以及复数个闸极绝缘薄膜，设置于该半导体通道形成区域以及该复数个区隔闸极之间；其中：该复数个区隔闸极的每一个为电阻性者，且具有两端部于横跨源极/汲极方向的方向，于两端部中的邻接区隔闸极系沿着源极/汲极方向互相交替地连接，以形成一曲折的闸极，以及源极侧电极与汲极侧电极分别设置于源极侧端部以及汲极侧端部；以及讯号电位系供应给该源极侧电极，以及偏压电位系供应至该汲极侧电极，该偏压电位之绝对值等于或大于特定电位之绝对值且随着汲极电位增加或减少而改变。一种高电压工作场效电晶体，至少包含：基板；于该基板一表面中互相分隔开的源极区域以及汲极区域；设置于该基板表面中之半导体通道形成区域，并位在该源极区域以及汲极区域之间；透过源极/汲极方向之区隔获得的复数个区隔闸极，并且设置于该半导体通道形成区域之上；以及复数个闸极绝缘薄膜，设置于该半导体通道形成区域以及该复数个区隔闸极之间；其中：除了最接近该源极区域之区隔闸极之外的每一个区隔闸极为电阻性者，且具有两端部于横跨源极/汲极方向的方向，于两端部中的邻接区隔闸极系沿着源极/汲极方向互相交替地连接，以形成一曲折的闸极，以及源极侧电极与汲极侧电极分别设置于源极侧端部以及汲极侧端部；讯号电位系供应至最接近该源极区域之区隔闸极；以及特定电位系供应至该源极侧电极，以及偏压电位系供应至该汲极侧电极，该偏压电位之绝对值等于或大于该特定电位之绝对值且随着汲极电位增加或减少而改变。如申请专利范围第2项之高电压工作场效电晶体，其中各具有与通道载子相同导电类型之中介区域系分别设置于在该复数个区隔闸极之间的该通道形成区域中。如申请专利范围第3项之高电压工作场效电晶体，其中各具有与通道载子相同导电类型之中介区域系分别设置于在该复数个区隔闸极之间的该通道形成区域中。一种高电压工作场效电晶体，至少包含：基板；设置于该基板表面中之半导体通道形成区域；互相分隔开的源极区域以及汲极区域，且该半导体通道形成区域位在该源极区域以及汲极区域之间；闸极绝缘薄膜设置于半导体通道形成区域之上；电阻性闸极，设置于该闸极绝缘薄膜上；以及源极侧电极，设置于该电阻性闸极之源极区域端部侧，以及汲极侧电极设置于该电阻性闸极之汲极区域端部侧，其中：讯号电位以及讯号电流之至少一者系供应至该源极区域；以及第一固定电位系供应至该源极侧电极，以及偏压电位系供应至该汲极侧电极，该偏压电位之绝对值等于或大于该第一固定电位之绝对值且随着汲极电位增加或减少而改变。一种高电压工作场效电晶体，至少包含：基板；于该基板一表面中互相分隔开的源极区域以及汲极区域；设置于该基板表面中之半导体通道形成区域，并位在该源极区域以及汲极区域之间；透过源极/汲极方向之区隔获得的复数个区隔闸极，并且设置于该半导体通道形成区域之上；以及复数个闸极绝缘薄膜，设置于该半导体通道形成区域以及该复数个区隔闸极之间；其中：讯号电位以及讯号电流之至少一者系供应至该源极区域；以及该复数个区隔闸极的每一个为电阻性者，且具有两端部于横跨源极/汲极方向的方向，于两端部中的邻接区隔闸极系沿着源极/汲极方向互相交替地连接，以形成一曲折的闸极，以及源极侧电极与汲极侧电极分别设置于源极侧端部以及汲极侧端部；以及第一固定电位系供应至该源极侧电极，以及偏压电位系供应至该汲极侧电极，该偏压电位之绝对值等于或大于该第一固定电位之绝对值且随着汲极电位增加或减少而改变。如申请专利范围第7项之高电压工作场效电晶体，其中各具有与通道载子相同导电类型之中介区域系分别设置于在该复数个区隔闸极之间的该通道形成区域中。如申请专利范围第1项之高电压工作场效电晶体，其中电容元件系连接于该汲极区域以及该汲极侧电极之间。如申请专利范围第2项之高电压工作场效电晶体，其中电容元件系连接于该汲极区域以及该汲极侧电极之间。如申请专利范围第3项之高电压工作场效电晶体，其中电容元件系连接于该汲极区域以及该汲极侧电极之间。如申请专利范围第6项之高电压工作场效电晶体，其中电容元件系连接于该汲极区域以及该汲极侧电极之间。如申请专利范围第7项之高电压工作场效电晶体，其中电容元件系连接于该汲极区域以及该汲极侧电极之间。如申请专利范围第8项之高电压工作场效电晶体，其中电容元件系连接于该汲极区域以及该汲极侧电极之间。如申请专利范围第1项之高电压工作场效电晶体，其中整流装置的一端系连接至该汲极侧电极，以及第二固定电位系供应至该整流装置的另一端。如申请专利范围第2项之高电压工作场效电晶体，其中整流装置的一端系连接至该汲极侧电极，以及第二固定电位系供应至该整流装置的另一端。如申请专利范围第3项之高电压工作场效电晶体，其中整流装置的一端系连接至该汲极侧电极，以及第二固定电位系供应至该整流装置的另一端。如申请专利范围第4项之高电压工作场效电晶体，其中整流装置的一端系连接至该汲极侧电极，以及第二固定电位系供应至该整流装置的另一端。如申请专利范围第5项之高电压工作场效电晶体，其中整流装置的一端系连接至该汲极侧电极，以及第二固定电位系供应至该整流装置的另一端。如申请专利范围第6项之高电压工作场效电晶体，其中整流装置的一端系连接至该汲极侧电极，以及第二固定电位系供应至该整流装置的另一端。如申请专利范围第7项之高电压工作场效电晶体，其中整流装置的一端系连接至该汲极侧电极，以及第二固定电位系供应至该整流装置的另一端。如申请专利范围第8项之高电压工作场效电晶体，其中整流装置的一端系连接至该汲极侧电极，以及第二固定电位系供应至该整流装置的另一端。如申请专利范围第1项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为半导体基板。如申请专利范围第2项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为半导体基板。如申请专利范围第3项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为半导体基板。如申请专利范围第4项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为半导体基板。如申请专利范围第5项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为半导体基板。如申请专利范围第6项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为半导体基板。如申请专利范围第7项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为半导体基板。如申请专利范围第8项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为半导体基板。如申请专利范围第1项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为其中与支撑基板绝缘的半导体薄膜系设置于该支撑基板表面上之基板。如申请专利范围第2项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为其中与支撑基板绝缘的半导体薄膜系设置于该支撑基板表面上之基板。如申请专利范围第3项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为其中与支撑基板绝缘的半导体薄膜系设置于该支撑基板表面上之基板。如申请专利范围第4项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为其中与支撑基板绝缘的半导体薄膜系设置于该支撑基板表面上之基板。如申请专利范围第5项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为其中与支撑基板绝缘的半导体薄膜系设置于该支撑基板表面上之基板。如申请专利范围第6项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为其中与支撑基板绝缘的半导体薄膜系设置于该支撑基板表面上之基板。如申请专利范围第7项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为其中与支撑基板绝缘的半导体薄膜系设置于该支撑基板表面上之基板。如申请专利范围第8项之高电压工作场效电晶体，其中该基板为其中与支撑基板绝缘的半导体薄膜系设置于该支撑基板表面上之基板。一种高电压工作场效电晶体用之偏压电路，该电晶体包含至少一汲极、源极以及位在该汲极与源极之间的电阻性闸极，并具有其上设置有汲极侧电极之汲极区域侧以及其上设置有源极侧电极之源极区域侧，该偏压电路包含具有至少两个输入以及一个输出的至少一加法器，其中：随着该汲极之汲极电位增加或减少而改变之电位系供应至该两个输入之一者，以及特定电位系供应至该两个输入之另一者；以及该加法器之该输出的电位系作为偏压电位供应至汲极侧电极。一种高电压工作场效电晶体用之偏压电路，该电晶体包含至少一汲极、源极以及位在该汲极与源极之间的电阻性闸极，并具有其上设置有汲极侧电极之汲极区域侧以及其上设置有源极侧电极之源极区域侧，该偏压电路包含至少两个串联的电阻器，其中：高电压电源之电位系供应至该两个串联电阻器之串联端部之一端，以及串联端部之另一端系连接至该汲极；以及来自该两个串联电阻器之间的节点之偏压电位系供应至该汲极侧电极。一种高电压工作场效电晶体用之偏压电路，该电晶体包含至少一汲极、源极以及位在该汲极与源极之间的电阻性闸极，并具有其上设置有汲极侧电极之汲极侧以及其上设置有源极侧电极之源极侧，该偏压电路包含至少一整流装置以及串联的电阻器，其中：于该整流装置一侧上的串联端系连接至汲极；特定电位系供应至电阻器一侧上的串联端；以及偏压电位系自该整流装置以及该电阻器之间的节点供应至该汲极侧电极。一种高电压工作电路元件，至少包含：第一绝缘闸极场效电晶体；互补该第一绝缘闸极场效电晶体之第二场效电晶体；第一电阻器，具有连接至该第一绝缘闸极场效电晶体之汲极的一端；以及第二电阻器，具有连接至该第一绝缘闸极场效电晶体之源极的一端，其中：第一电位系供应至该第一电阻器之另一端，以及第二电位系供应至该第二电阻器之另一端；该第二场效电晶体为高电压工作场效电晶体，包含至少一汲极、源极以及位在该汲极与源极之间的电阻性闸极，并具有其上设置有汲极侧电极之汲极侧以及其上设置有源极侧电极之源极侧；该第二场效电晶体的源极系连接至该第一绝缘场效电晶体之汲极；该第二电位系供应至该第二场效电晶体之汲极侧电极，以及该第二场效电晶体之源极侧电极系连接至该第一绝缘闸极场效电晶体的源极；该第一绝缘闸极场效电晶体的闸极系设定为输入；以及选择自该第一绝缘闸极场效电晶体之源极与汲极之一点系设定为输出。如申请专利范围第42项的高电压工作电路元件，其中该第一绝缘闸极场效电晶体为空乏型者。如申请专利范围第42项的高电压工作电路元件，其中于该源极侧电极以及汲极侧电极之间的电阻性闸极系代替该第二电阻器而用，以移除该第二电阻器。如申请专利范围第42项的高电压工作电路元件，其中该第一电阻器以及该第二电阻器之至少一者包含复数个串联的电阻器，以及位于该复数个串联的电阻器之间的节点系设定为输出。如申请专利范围第42项的高电压工作电路元件，其中该第一电阻器包含复数个串联的电阻器，以及该第二场效电晶体的源极系连接至位于该复数个串联的电阻器之间的节点。如申请专利范围第42项的高电压工作电路元件，其中该第二电阻器包含复数个串联的电阻器，以及该第二场效电晶体的汲极、源极侧电极以及汲极侧电极之至少一者系连接至位于该复数个串联的电阻器之间的节点。如申请专利范围第42项的高电压工作电路元件，其中该第二场效电晶体之汲极系连接至第二电位。如申请专利范围第42项的高电压工作电路元件，其中该第二场效电晶体之汲极系经由第三电阻器连接至第二电位。如申请专利范围第42项的高电压工作电路元件，其中该第一电阻器以及该第二电阻器之一系固定电流元件。如申请专利范围第42项的高电压工作电路元件，其中电容元件系连接于该输入以及该第一绝缘闸极场效电晶体之源极至少之一者以及该输出之间。一种高电压工作场效电晶体用之偏压电路，该电晶体包含至少一汲极、源极以及位在该汲极与源极之间的电阻性闸极，并具有其上设置有汲极侧电极之汲极侧以及其上设置有源极侧电极之源极侧，其中：在如申请专利范围第42项之高电压工作电路元件中，第一电位系设定为高电压电源电位，该第二电位系设定为接地电位，以及该接地电位系经由第三电阻器供应至该第二场效电晶体之汲极；该第一绝缘闸极场效电晶体的闸极系连接至该高电压工作场效电晶体之汲极；以及偏压电位系自该第一绝缘闸极场效电晶体与该第一电阻器之间的节点供应至该高电压工作场效电晶体之汲极侧电极。一种高电压工作场效电晶体用之偏压电路，该电晶体包含至少一汲极、源极以及位在该汲极与源极之间的电阻性闸极，并具有其上设置有汲极侧电极之汲极侧以及其上设置有源极侧电极之源极侧，其中：在如申请专利范围第42项之高电压工作电路元件中，该第二电位系供应至该第二场效电晶体之汲极；该第一电位以及该第二电位之一者系设定为高电压电源之电位，以及另一者系设定为接地电位以及该特定电位之一者；该第一绝缘闸极场效电晶体的闸极系连接至该高电压工作场效电晶体之汲极；以及偏压电位系自输出供应至该汲极侧电极。 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