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一种对快闪记忆体装置设定编程启始偏压之方法，该方法包含：使用一第一编程电压执行预编程一所选择的记忆格；在该预编程之后，测量该所选择的记忆格之最高门槛电压；计算在该最高门槛电压与目标门槛电压分布之目标最高门槛电压之间的差值；及藉由将该差值加到该第一编程电压而设定启始偏压，以便进行编程操作。如申请专利范围第1项之方法，其中更包含：在设定该启始偏压后，使用增量步阶脉冲编程(ISPP)方法实施该编程操作。如申请专利范围第1项之方法，其中该第一编程电压是在13V到22V的范围中。如申请专利范围第1项之方法，其中该第一编程电压为16V。如申请专利范围第1项之方法，其中执行该预编程以致使该最高门槛电压超过0V。如申请专利范围第1项之方法，其中测量该最高门槛电压之步骤包含：在该预编程之后，施加一扫描偏压至该所选择的记忆格；及检查该所选择的记忆格是否为通过的。如申请专利范围第6项之方法，其中若检查该所选择的记忆格为没有通过，则测量该最高门槛电压之步骤更包含：将一步阶偏压加到该扫描偏压；施加已经加上该步阶偏压的该扫描偏压至该所选择的记忆格；及再检查该所选择的记忆格。如申请专利范围第7项之方法，其中更包含：重覆施加、检查及加上该步阶偏压，直到该所选择的记忆格通过。如申请专利范围第7项之方法，其中该步阶偏压系在0.05V到0.8V之准位。如申请专利范围第6项之方法，其中该扫描偏压之初始准位为0V。如申请专利范围第1项之方法，其中该目标门槛电压分布之该目标最高门槛电压系设定成，周期性增加之该门槛电压分布的最高门槛电压不超过用于读取操作之读取电压。如申请专利范围第1项之方法，其中该目标门槛电压分布之该目标最高门槛电压为低于读取电压准位之1V到3V。一种用以编程快闪记忆体装置之方法，该方法包含：使用一第一编程电压对一所选择的记忆格执行预编程；在该预编程之后，测量该所选择的记忆格之最高门槛电压；计算在该最高门槛电压与目标门槛电压分布之目标最高门槛电压之间的差值；藉由将该差值加到该第一编程电压而设定启始偏压；使用该启始偏压作为初始之编程偏压，执行编程操作；及确认该所选择的记忆格。如申请专利范围第13项之方法，其中该编程偏压被施加复数次，在每次施加该编程偏压之后，该编程偏压藉由预定准位被增加直到达到一最后偏压。如申请专利范围第14项之方法，其中每次在施加该编程偏压至该所选择的记忆格之后，施加用于编程确认之确认偏压至该所选择的记忆格。如申请专利范围第13项之方法，其中该第一编程电压系在13V到22V之范围中。如申请专利范围第13项之方法，其中该第一编程电压为16V。如申请专利范围第13项之方法，其中执行该预编程以致使该最高门槛电压超过0V。如申请专利范围第11项之方法，其中测量该最高门槛电压之步骤包含：在该预编程之后施加一扫描偏压至该所选择的记忆格；检查该所选择的记忆格是否为通过的；若该所选择的记忆格没有通过，则测量该最高门槛电压之步骤更包含：将一步阶偏压加到该扫描偏压；施加已经加上该步阶偏压的该扫描偏压至该所选择的记忆格；再检查该所选择的记忆格；及重覆施加、检查及加上该步阶偏压直到该所选择的记忆格通过。如申请专利范围第19项之方法，其中该扫描偏压之初始准位为0V。如申请专利范围第19项之方法，其中该步阶偏压为0.05V到0.8V之准位。如申请专利范围第12项之方法，其中该目标门槛电压分布之该目标最高门槛电压系设定成，周期性增加之该门槛电压分布的最高门槛电压不超过用于读取操作之读取电压。如申请专利范围第12项之方法，其中该目标门槛电压分布之该目标最高门槛电压为低于读取电压准位之1V到3V。 |
