画素插补装置及其方法

主权项

一种画素插补装置，包含有：一第一线缓冲器(line buffer)，用来储存一第一实际画素列之画素资料；一第二线缓冲器，用来储存一第二实际画素列之画素资料；一区块比对(Block Matching)单元，耦接于该第一线缓冲器与该第二线缓冲器，其系在该第一实际画素列上产生复数个第一大区块(Macroblock)及在该第二实际画素列上产生相对应之复数个第二大区块并进行区块比对(Block Matching)，以找出对应一目标画素之一最小区块差值与一侦测方向，该目标画素属于一第一插补画素列，其中该等第一大区块和该等第二大区块各自包含复数个画素；一插补运算单元，耦接于该区块比对单元与该第一、第二线缓冲器，用来根据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料以及该侦测方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素，该插补运算单元系根据该最小区块差值产生一第一权重系数，并根据该第一画素列之画素资料、该第二画素列之画素资料、该侦测方向以及该第一权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第1项所述之画素插补装置，更包含有一分析单元，耦接于该区块比对单元与该插补运算单元，用来：判断该侦测方向以产生一方向类别，并分析该目标画素以及其邻近画素之方向类别来产生一指示标签；及分析该目标画素以及其邻近画素之侦测方向来产生一插补方向。如申请专利范围第2项所述之画素插补装置，其中该分析单元更包含有一记忆体，用来储存该指示标签。如申请专利范围第2项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该最小区块差值产生一第一权重系数，并根据该第一画素列之画素资料、该第二画素列之画素资料、该插补方向以及该第一权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第2项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该目标画素及其邻近画素之指示标签以及已完成插补之一第二插补画素列之画素之指示标签来产生一第二权重系数，并依据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料、该插补方向以及该第二权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第5项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该最小区块差值产生一第一权重系数，并依据该该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料、第一与该第二权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第2项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该第一实际画素列之画素资料以及该第二实际画素列之画素资料来产生一第三权重系数，并依据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料、该第三权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第7项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该最小区块差值产生一第一权重系数，并依据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料、该第一与该第三权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第7项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该目标画素及其邻近画素之指示标签以及已完成插补之一第二插补画素列之画素之指示标签来产生一第二权重系数，并依据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料、该插补方向以及该第二与该第三权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第9项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该最小区块差值产生一第一权重系数，并依据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料、该第一、第二与第三权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第2项所述之画素插补装置，其中该分析单元于产生该插补方向之前，更分析该目标画素以及其邻近画素之指示标签来决定是否将该目标画素之侦测方向设定为一特定方向。一种画素插补装置，包含有：一第一线缓冲器(line buffer)，用来储存一第一实际画素列之画素资料；一第二线缓冲器，用来储存一第二实际画素列之画素资料；一区块比对(Block Matching)单元，耦接于该第一线缓冲器与该第二线缓冲器，其系在该第一实际画素列上产生复数个第一大区块(Macroblock)及在该第二实际画素列上产生相对应之复数个第二大区块并进行区块比对(Block Matching)，以找出对应一目标画素之一最小区块差值与一侦测方向，该目标画素属于一第一插补画素列，其中该等第一大区块和该等第二大区块各自包含复数个画素；一插补运算单元，耦接于该区块比对单元与该第一、第二线缓冲器，用来根据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料以及该侦测方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素；以及一分析单元，耦接于该区块比对单元与该插补运算单元，用来：判断该侦测方向以产生一方向类别，并分析该目标画素以及其邻近画素之方向类别来产生一指示标签；及分析该目标画素以及其邻近画素之侦测方向来产生一插补方向。如申请专利范围第12项所述之画素插补装置，其中该分析单元更包含有一记忆体，用来储存该指示标签。如申请专利范围第12项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该最小区块差值产生一第一权重系数，并根据该第一画素列之画素资料、该第二画素列之画素资料、该插补方向以及该第一权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第12项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该目标画素及其邻近画素之指示标签以及已完成插补之一第二插补画素列之画素之指示标签来产生一第二权重系数，并依据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料、该插补方向以及该第二权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第15项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该最小区块差值产生一第一权重系数，并依据该该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料、第一与该第二权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第12项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该第一实际画素列之画素资料以及该第二实际画素列之画素资料来产生一第三权重系数，并依据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料、该第三权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第17项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该最小区块差值产生一第一权重系数，并依据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料、该第一与该第三权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第17项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该目标画素及其邻近画素之指示标签以及已完成插补之一第二插补画素列之画素之指示标签来产生一第二权重系数，并依据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料、该插补方向以及该第二与该第三权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第19项所述之画素插补装置，其中该插补运算单元系根据该最小区块差值产生一第一权重系数，并依据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料、该第一、第二与第三权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第12项所述之画素插补装置，其中该分析单元于产生该插补方向之前，更分析该目标画素以及其邻近画素之指示标签来决定是否将该目标画素之侦测方向设定为一特定方向。一种画素插补方法，包括下列之步骤：(a)根据一第一实际画素列之画素资料与一第二实际画素列之画素资料来分别产生复数个第一大区块(Macroblock)与复数个第二大区块，其中该等第一大区块和该等第二大区块各自包含复数个画素；(b)对该些第一与第二大区块进行区块比对(Block Matching)，以找出对应一目标画素之一最小区块差值与一侦测方向，该目标画素属于一第一插补画素列；(c)根据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料以及该侦测方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素；以及(d)根据该最小区块差值来产生一第一权重系数；其中，步骤(c)，更根据该第一权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第22项所述之画素插补方法，其中更包括步骤：(e)判断该侦测方向以产生一方向类别，并分析该目标画素以及其邻近画素之方向类别来产生并储存一指示标签；及(f)分析该目标画素以及其邻近画素之侦测方向来产生一插补方向。如申请专利范围第23项所述之画素插补方法，其中更包括：(d)根据该最小区块差值产生一第一权重系数；及其中，步骤(c)更根据该第一权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第23项所述之画素插补方法，其中更包括：(g)根据该目标画素及其邻近画素之指示标签以及已完成插补之一第二插补画素列之画素之指示标签来产生一第二权重系数；其中，步骤(c)更根据该第二权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第25项所述之画素插补方法，其中更包括：(d)根据该最小区块差值产生一第一权重系数；其中，步骤(c)更根据该第一权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第23项所述之画素插补方法，其中更包括：(h)根据该第一实际画素列之画素资料以及该第二实际画素列之画素资料来产生一第三权重系数；其中，步骤(c)更依据该该第三权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第27项所述之画素插补方法，其中更包括：(d)根据该最小区块差值产生一第一权重系数；其中，步骤(c)更根据该第一权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第27项所述之画素插补方法，其中更包括：(g)根据该目标画素及其邻近画素之指示标签以及已完成插补之一第二插补画素列之画素之指示标签来产生一第二权重系数；其中，步骤(c)更根据该第二权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第29项所述之画素插补方法，其中更包括：(d)根据该最小区块差值产生一第一权重系数；其中，步骤(c)更根据该第一权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第23项所述之画素插补方法，其中更包括：(e’)于产生该插补方向之前更分析该目标画素以及其邻近画素之指示标签来决定是否将该目标画素之侦测方向设定为一特定方向。一种画素插补方法，包括下列之步骤：(a)根据一第一实际画素列之画素资料与一第二实际画素列之画素资料来分别产生复数个第一大区块(Macroblock)与复数个第二大区块，其中该等第一大区块和该等第二大区块各自包含复数个画素；(b)对该些第一与第二大区块进行区块比对(BlockMatching)，以找出对应一目标画素之一最小区块差值与一侦测方向，该目标画素属于一第一插补画素列；(c)根据该第一实际画素列之画素资料、该第二实际画素列之画素资料以及该侦测方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素；(e)判断该侦测方向以产生一方向类别，并分析该目标画素以及其邻近画素之方向类别来产生并储存一指示标签；以及(f)分析该目标画素以及其邻近画素之侦测方向来产生一插补方向。如申请专利范围第32项所述之画素插补方法，其中更包括：(d)根据该最小区块差值产生一第一权重系数；及其中，步骤(c)更根据该第一权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第32项所述之画素插补方法，其中更包括：(g)根据该目标画素及其邻近画素之指示标签以及已完成插补之一第二插补画素列之画素之指示标签来产生一第二权重系数；其中，步骤(c)更根据该第二权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第34项所述之画素插补方法，其中更包括：(d)根据该最小区块差值产生一第一权重系数；其中，步骤(c)更根据该第一权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第32项所述之画素插补方法，其中更包括：(h)根据该第一实际画素列之画素资料以及该第二实际画素列之画素资料来产生一第三权重系数；其中，步骤(c)更依据该该第三权重系数以及该插补方向来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第36项所述之画素插补方法，其中更包括：(d)根据该最小区块差值产生一第一权重系数；其中，步骤(c)更根据该第一权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第36项所述之画素插补方法，其中更包括：(g)根据该目标画素及其邻近画素之指示标签以及已完成插补之一第二插补画素列之画素之指示标签来产生一第二权重系数；其中，步骤(c)更根据该第二权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第38项所述之画素插补方法，其中更包括：(d)根据该最小区块差值产生一第一权重系数；其中，步骤(c)更根据该第一权重系数来插补产生该第一插补画素列之该目标画素。如申请专利范围第32项所述之画素插补方法，其中更包括：(e’)于产生该插补方向之前更分析该目标画素以及其邻近画素之指示标签来决定是否将该目标画素之侦测方向设定为一特定方向。