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一种用于电浆处理设备之复原板形石英零件之方法，该石英零件包含一主要表面，该方法包含：在该主要表面之第一区域上形成石英材料之一凸出部，使得该主要表面系藉着一偏移分成该第一区域及毗连该第一区域之第二区域；及机械加工具有该凸出部之主要表面，使得一平坦表面系形成在该第一区域中，同时维持该偏移。如申请专利范围第1项之方法，其中：该机械加工系藉着研磨施行；及在该机械加工之后保持一充分之偏移高度，以防止该第二区域于该机械加工期间之不小心研磨。如申请专利范围第2项之方法，其中在该机械加工之后保持之偏移高度不会小于大约0.3毫米。如申请专利范围第1项之方法，其中该偏移系藉着在该主要表面之一平坦部份上形成该石英材料之凸出部所形成。如申请专利范围第1项之方法，其中该石英材料之凸出部系已形成在该主要表面之第一区域上，该第一区域业已藉着该偏移由该第二区域分开。如申请专利范围第1项之方法，其中：该零件尚包含相向于该主要表面之第二表面，该第二表面沿着该零件之一内部周边具有一斜面部份；该石英材料凸出部之形成进一步在该零件之内部周边之一侧表面上形成该石英材料之凸出部；及该斜面部份防止该石英材料于该凸出部形成在该侧表面上期间流至该第二表面。如申请专利范围第1项之方法，其中该零件的该主要表面自该零件的内部周边向外延伸，以及该主要表面的该第一区域系围绕该内部周边形成。一种制造半导体装置之方法，其包含：于电浆处理设备中安装一板形石英零件，该零件具有一主要表面；于该设备中处理若干半导体晶圆，而将该石英零件之主要表面暴露至一电浆；复原因暴露至该电浆而受损之石英零件，该复原包含：在该主要表面之第一区域上形成石英材料之一凸出部，使得该主要表面系藉着一偏移分成该第一区域及毗连该第一区域之第二区域；及机械加工具有该凸出部之主要表面，使得一平坦表面系形成在该第一区域中，同时维持该偏移；及于该电浆处理设备中再次安装该已复原之石英零件，及于该设备中处理另一数目之半导体晶圆。如申请专利范围第8项之方法，其中该电浆处理设备包含一电极，一电力系供给至该电极以产生该电浆，且该零件围绕着该电极之一外部周边。如申请专利范围第8项之方法，其中：该电浆处理设备包含具有第二主要表面之第二板形零件，该第二主要表面面对该再次安装零件之第一区域中之平坦表面，以于它们之间形成一间隙；及在该机械加工之后保有之偏移高度大体上不会大于该间隙。如申请专利范围第8项之方法，其中：另一数目半导体晶圆之处理包含供给一处理气体；该电浆处理设备包含具有第二主要表面之第二板形零件，该第二主要表面面对该再次安装零件之第一区域中之平坦表面，以形成一引导处理气体之流动之路径；及在该机械加工之后保有之偏移高度不会显着地干扰该处理气体之流动。如申请专利范围第8项之方法，其中该零件的该主要表面自该零件的内部周边向外延伸，以及该主要表面的该第一区域系围绕该内部周边形成。一种使用及复原板形石英零件之方法，其包含：于电浆处理设备中使用该零件，该零件之一主要表面包含第一区域及毗连该第一区域之第二区域，该主要表面遍及该第一区域及该第二区域系平坦的，其用法包含将该零件之主要表面暴露至一电浆；复原该已用过零件，其包含在一部份该主要表面上形成石英材料之一凸出部，及机械加工具有该凸出部之主要表面，使得该主要表面遍及第一区域及第二区域变得平坦；于该设备中再使用该已复原零件，包含将该零件之主要表面暴露至该电浆；再复原该再次用过之零件，其包含在该第一区域上形成石英材料之一凸出部，使得该主要表面系藉着一偏移分成该第一区域及该第二区域，及机械加工具有该凸出部之主要表面，使得一平坦表面系形成在该第一区域中，同时维持该偏移。如申请专利范围第13项之方法，尚包含在该零件之再复原之后，重复该零件之再使用及再复原。如申请专利范围第13项之方法，尚包含在该零件之再复原之前，二或更多次重复该零件之使用及复原。如申请专利范围第13项之方法，其中：在该复原之后，该零件之主要表面之高度系低于该零件之主要表面在使用之前之高度；及藉着该再复原所形成第一区域中之平坦表面之高度大体上系与该零件之主要表面在使用之前之高度相同。 |
