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一种雷射加工方法，系通过将聚光点对准于表面形成有包含复数功能元件的积层部的基板内部以照射雷射光，沿着前述基板之预定切断线，将成为切断起点的改质区域形成于前述基板内部的方法，其特征为包含：沿着将前述基板及前述积层部切断为复数块用的第1预定切断线，形成第1改质区域的步骤；及沿着将前述块切断为具有前述功能元件的复数晶片用的第2预定切断线，形成第2改质区域的步骤；前述第1改质区域与前述第2改质区域比较，容易于前述基板产生裂纹。如申请专利范围第1项之雷射加工方法，其中还包含：在形成有前述第1改质区域及前述第2改质区域的前述基板背面，安装可扩张薄膜的步骤；及利用使前述可扩张薄膜扩张，在以前述第1改质区域为起点，开始从前述基板及前述积层部切断到块后，进而以前述第2改质区域为起点，开始从前述块切断到晶片之步骤。如申请专利范围第1或2项之雷射加工方法，其中前述第2预定切断线系通过邻接之前述第1预定切断线之间。如申请专利范围第1或2项之雷射加工方法，其中前述第1预定切断线及前述第2预定切断线系略平行。如申请专利范围第1或2项之雷射加工方法，其中前述第1预定切断线及前述第2预定切断线系形成交叉。如申请专利范围第1或2项之雷射加工方法，其中前述基板为半导体基板，前述第1改质区域及前述第2改质区域包含熔化处理区域。如申请专利范围第1或2项之雷射加工方法，其中利用使沿前述基板之前述第1预定切断线部分的前述第1改质区域的形成密度，与沿前述基板之前述第2预定切断线部分的前述第2改质区域的形成密度互异，以使前述第1改质区域与前述第2改质区域比较，容易于前述基板产生裂纹。如申请专利范围第1或2项之雷射加工方法，其中利用使沿前述基板之前述第1预定切断线部分的前述第1改质区域的大小，与沿前述基板之前第2预定切断线部分的前述第2改质区域的大小互异，以使前述第1改质区域与前述第2改质区域比较，容易于前述基板产生裂纹。如申请专利范围第1或2项之雷射加工方法，其中利用使沿前述基板之第1预定切断线部分的前述第1改质区域的形成位置，与沿前述基板之前述第2预定切断线的前述第2改质区域的形成位置互异，可使前述第1改质区域与前述第2改质区域比较，容易于前述基板产生裂纹。一种加工对象物，系具备基板及含有复数功能元件且形成于基板表面的积层部，其特征为具备：沿着将前述基板及前述积层部切断为复数块用的第1预定切断线，形成于前述基板内部的第1改质区域；及沿着将前述切断为具有前述功能元件的复数晶片用的第2预定切断线形成于前述基板内部的第2改质区域；前述第1改质区域与前述2改质区域比较，容易于前述基板产生裂纹。 |
