Halbleiterbauelement mit einer Emittersteuerelektrode

摘要

Beschrieben wird ein Halbleiterbauelement, das aufweist: eine erste Emitterzone (11) eines ersten Leitungstyps; eine zweite Emitterzone (13) eines zweiten Leitungstyps; eine zwischen der ersten und der zweiten Emitterzone (11, 13) angeordnete erste Basiszone (12); eine erste Steuerstruktur (20). Die erste Steuerstruktur umfasst: – eine Steuerelektrode (21), die benachbart zu der ersten Emitterzone (11) angeordnet ist, die durch eine erste Dielektrikumsschicht (22) gegenüber der ersten Emitterzone isoliert ist und die sich in einer Stromflussrichtung des Halbleiterbauelements erstreckt, – einen ersten Steueranschluss (G2), und – wenigstens eine zwischen dem ersten Steueranschluss (G2) und der ersten Steuerelektrode (21) angeordnete erste Verbindungszone (23) aus einem Halbleitermaterial.