摘要 |
Ein Verstärkerbaustein (1) weist ein Chipgehäuse (40) und zumindest zwei Verstärkerelemente (31, 32) auf. Zwischen zumindest zwei Anschlüssen (51, 52 und 61, 62) jedes Verstärkerelements (31, 32) bildet sich eine parasitäre Kapazität (81, 82) aus, wobei diese parasitäre Kapazität (81, 82) durch ein induktives Kompensationselement (2) kompensiert ist. Das Kompensationselement (2) selbst ist dabei zwischen zwei Anschlusskontakten (101, 102) außerhalb des Chipgehäuses (40) durch eine Anschlussfahne (2) ausgebildet. |