发明名称 Vorrichtung und Verfahren zum Justieren der Rückseite eines Wafers mit der Vorderseite eines Wafers
摘要 <p>Strukturen einer Rückseite eines Wafers können zum Zweck einer lithographischen Behandlung der Rückseite mit Strukturen einer Vorderseite des Wafers justiert sein. Der Wafer ist transparent für elektromagnetische Strahlung einer spezifischen Wellenlänge. Der Wafer wird derart auf einem Wafertisch platziert, dass die Vorderseite dem Wafertisch zugewandt ist und die Rückseite einer Justieroptik zugewandt ist. Die Rückseite wird bei einer Dunkelfeldkonfiguration mit elektromagnetischer Strahlung der spezifischen Wellenlänge beleuchtet, so dass sich die elektromagnetische Strahlung durch den Wafer hindurch zu dreidimensionalen Strukturen einer an der Vorderseite des oder in dem Wafer befindlichen dreidimensionalen Justiermarke hin ausbreitet und an den dreidimensionalen Strukturen gestreut wir mit der Justieroptik erfasst, und die Rückseite wird auf der Basis der gestreuten elektromagnetischen Strahlung mit der Vorderseite des Wafers justiert.</p>
申请公布号 DE102010044139(A1) 申请公布日期 2011.06.30
申请号 DE20101044139 申请日期 2010.11.18
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BITZER, THOMAS;CAMPIDELL, JOSEF;KITTNER, HORST
分类号 G03F9/00;G03F7/20 主分类号 G03F9/00
代理机构 代理人
主权项
地址