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Abschätzverfahren für das Aussehen eines Resistmusters, bei dem ein Resistmuster berechnet wird, das dadurch erzeugt wird, dass ein Maskenmuster durch Belichtung auf einen Resist auf einem Wafer abgebildet wird und dann das Resistmuster entwickelt wird, gekennzeichnet durch die folgenden Schritte: (a) Berechnen der zweidimensionalen Lichtverteilung des auf den Wafer gestrahlten Belichtungslichts auf Grundlage des Maskenmusters und der Belichtungsbedingungen; (b) Verwenden der Lichtintensitäten an Umgebungspositionen um eine jeweilige beliebige Position in der zweidimensionalen Ebene des Wafers herum, und Verwenden des Abstands zwischen der jeweiligen beliebigen Position und den Umgebungspositionen als Grundlage zum Berechnen und kumulierenden Addieren der Auswirkung der Lichtintensitäten an den mehreren Umgebungspositionen auf die Belichtungsenergie an der jeweiligen beliebigen Position; (c) Berechnen einer Latentes-Bild-Ausbildungsintensität an der jeweiligen beliebigen Position für die zweidimerisionale Waferebene; (d) Ermitteln der Verteilung der Latentes-Bild-Ausbildungsintensität in der zweidimensionalen Ebene des Wafers; (e) Ermitteln eines Schwellenwerts für die Latentes-Bild-Ausbildungsintensität, abhängig von...
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