AlGaAs-Substrat, Epitaxialwafer für Infrarot-LEDs, Infrarot-LED, Verfahren zur Herstellung eines AlGaAs-Substrats, Verfahren zur Herstellung eines Epitaxialwafers für Infrarot-LEDs und Verfahren zur Herstellung von Infrarot-LEDs

摘要

AlxGa( 1–x)As-Substrat, das mit einer AlxGa( 1–x)As-Schicht (0 ≤ x ≤ 1) mit einer Hauptoberfläche und auf der Rückseite gegenüber der Hauptoberfläche mit einer Rückfläche versehen ist; wobei das AlxGa( 1–x)As-Substrat dadurch gekennzeichnet ist, dass: in der AlxGa( 1–x)As-Schicht der Mengenanteil x von Al in der Rückfläche größer ist als der Mengenanteil x von Al in der Hauptoberfläche.