Halbleiterspeicherbaustein mit aufgeteiltem Speicherzellenfeld

摘要

Halbleiterspeicherbaustein mit – einem Speicherzellenfeld, das durch Sub-Wortleitungstreiberflächen (25) und Bitleitungsabtastverstärkerflächen (24) in eine Mehrzahl von Teilfeldern (21) aufgeteilt ist, – lokalen E/A-Leitungen (LIO), die in den Bitleitungsabtastverstärkerflächen (24) angeordnet sind und jeweils an wenigstens einem Ende in einer der Bitleitungsabtastverstärkerflächen (24) enden, und – globalen E/A-Leitungen (GIO), die in den Sub-Wortleitungstreiberflachen (25) angeordnet sind, – wobei die Bitleitungsabtastverstärkerflächen (24) Blindbitleitungsabtastverstärkerbereiche (32) mit Blind bitleitungsabtastverstärkern umfassen, wobei wenigstens ein Ende von jeder lokalen E/A-Leitung in einem der Blindbitleitungsabtastverstärkerbereiche (32) angeordnet ist.