发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils und nach diesem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauteil |
摘要 |
Für ein elektronisches Bauteil mit einem GaAs-Halbleitersubstrat, auf dessen Vorderseite Halbleiter-Bauelemente ausgebildet sind und dessen Rückseite mit einer mehrschichtigen Rückseitenmetallisierung versehen ist, wird ein vorteilhafter Aufbau der Schichtenfolge der Rückseitenmetallisierung vorgeschlagen. |
申请公布号 |
DE102009059303(A1) |
申请公布日期 |
2011.06.30 |
申请号 |
DE20091059303 |
申请日期 |
2009.12.23 |
申请人 |
UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
JONSSON, GUENTER;STIEGLAUER, HERMANN |
分类号 |
H01L21/3205;H01L23/373 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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