发明名称 Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils und nach diesem Verfahren hergestelltes elektronisches Bauteil
摘要 Für ein elektronisches Bauteil mit einem GaAs-Halbleitersubstrat, auf dessen Vorderseite Halbleiter-Bauelemente ausgebildet sind und dessen Rückseite mit einer mehrschichtigen Rückseitenmetallisierung versehen ist, wird ein vorteilhafter Aufbau der Schichtenfolge der Rückseitenmetallisierung vorgeschlagen.
申请公布号 DE102009059303(A1) 申请公布日期 2011.06.30
申请号 DE20091059303 申请日期 2009.12.23
申请人 UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH 发明人 JONSSON, GUENTER;STIEGLAUER, HERMANN
分类号 H01L21/3205;H01L23/373 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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