发明名称 一种交流发光二极管
摘要 本发明提供一种将AC电流经过转换,形成DC电流输出,并且可提升整片LED的发光效率的交流发光二极管,本发明所述一种交流发光二极管,包括第一微晶粒、第二微晶粒、第三微晶粒、第四微晶粒,所述微晶粒包括衬底层、反射层、透明导电层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和钝化层,所述钝化层设在微晶粒表面和侧面,所述衬底层正面设有第一半导体层,所述衬底层底面设有反射层,所述透明导电层与第二半导体层连接。
申请公布号 CN102110705A 申请公布日期 2011.06.29
申请号 CN201010587006.5 申请日期 2010.12.14
申请人 武汉迪源光电科技有限公司 发明人 何建波;易贤;杨新民;靳彩霞;董志江
分类号 H01L27/15(2006.01)I;H01L33/44(2010.01)I 主分类号 H01L27/15(2006.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 杨立
主权项 一种交流发光二极管,包括第一微晶粒、第二微晶粒、第三微晶粒、第四微晶粒,所述微晶粒包括衬底层、反射层、透明导电层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和钝化层,所述钝化层设在微晶粒表面和侧面,所述衬底层正面设有第一半导体层,所述衬底层底面设有反射层,所述透明导电层与第二半导体层连接,其特征在于,所述第一微晶粒的第一半导体区与第二微晶粒的第一半导体区电连接于节点A,第二微晶粒的第二半导体区与第四微晶粒的第一半导体区电连接于节点B,第四微晶粒的第二半导体区与第三微晶粒的第二半导体区电连接于节点C,第三微晶粒的第一半导体区与第一微晶粒的第二半导体区电连接于节点D,所述节点B和节点D为交流电输入端,所述节点A与节点C电连接。
地址 430205 湖北省武汉市东湖高新技术开发区光谷一路8号