| 发明名称 | 双位快闪存储器的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种双位快闪存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介电层与栅电极层，刻蚀所述栅电极层及栅介电层，形成栅极结构；侧向刻蚀栅介电层的部分区域，在栅介电层两侧形成开口；在栅电极层与半导体衬底表面形成隔离层；在半导体衬底及栅极结构上形成氧化铪，所述氧化铪填充到栅介电层两侧的开口内，栅电极层与半导体衬底表面的隔离层将所述氧化铪与栅电极层及半导体衬底隔离；刻蚀氧化铪，保留位于栅介电层两侧的开口内的氧化铪，所述开口内的氧化铪形成电荷俘获层。 | ||
| 申请公布号 | CN102110657A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN200910247493.8 | 申请日期 | 2009.12.29 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种双位快闪存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成栅介电层与栅电极层，刻蚀所述栅电极层及栅介电层，形成栅极结构；侧向刻蚀栅介电层的部分区域，在栅介电层两侧形成开口；在栅电极层与半导体衬底表面形成隔离层；在半导体衬底及栅极结构上形成氧化铪，所述氧化铪填充到栅介电层两侧的开口内，栅电极层与半导体衬底表面的隔离层将所述氧化铪与栅电极层及半导体衬底隔离；刻蚀氧化铪，保留位于栅介电层两侧的开口内的氧化铪，所述开口内的氧化铪形成电荷俘获层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||