发明名称 内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构
摘要 本实用新型涉及半导体激光器技术领域,具体提供了一种内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构。该同轴TO封装结构内部包括:TO底座、薄膜型热电致冷器,硅热沉块或者导热块,半导体激光器,热敏电阻和背光探测器;薄膜型热电致冷器直接水平贴装于TO底座的底面或者薄膜型热电致冷器垂直于TO底座底面贴装于TO底座上的导热块。本实用新型主要通过将具有热量快速转移作用的薄膜型热电致冷器(TEC)引入到TO封装的半导体激光器底部,实现半导体激光器的温度控制,具有温度可控和可靠性好等特点。
申请公布号 CN201887327U 申请公布日期 2011.06.29
申请号 CN201020562872.4 申请日期 2010.10.15
申请人 武汉华工正源光子技术有限公司 发明人 周忠华;陈留勇
分类号 H01S5/022(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I 主分类号 H01S5/022(2006.01)I
代理机构 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人 张瑾
主权项 一种内置致冷器、温度可控的半导体激光器同轴TO封装结构,其特征在于,包括TO底座、薄膜型热电致冷器、硅热沉块、半导体激光器、热敏电阻和背光探测器;薄膜型热电致冷器直接水平贴装于TO底座的上表面;硅热沉块作为半导体激光器、热敏电阻和背光探测器的载体,直接贴装于薄膜型热电致冷器的上表面。
地址 430223 湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园正源光子产业园