发明名称 |
多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法 |
摘要 |
本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法,属于集成电路测量技术领域。所述测量方法是采用LCR表和一个电源进行测量,在场效应晶体管(FET)半导体器件的栅端口和漏端口加电压对器件的Cgs进行测量,采用LCR表内置电源提供Vgs端口电压的自动扫描,采用一个外接电源提供Vdg端口的电压,手动调节电压对Vdg端口进行扫描,最后通过公式Vds=Vdg+Vgs来计算相对电压,获得多偏置点下栅源电容Cgs(Vgs,Vds)数值曲线。本发明易于实现,精度高,其测量方法能够描述界面态和表面态等界面特性,还能获得器件的基本物理参数;是FET半导体器件建模中必不可少的环节,进而描述器件的交流特性,完成非线性特性的仿真。 |
申请公布号 |
CN102109570A |
申请公布日期 |
2011.06.29 |
申请号 |
CN200910312391.X |
申请日期 |
2009.12.28 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
蒲颜;王亮;袁婷婷;欧阳思华;刘新宇 |
分类号 |
G01R31/26(2006.01)I |
主分类号 |
G01R31/26(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
王建国 |
主权项 |
一种多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法,其特征在于,所述方法包括下列步骤:步骤A:在被测场效应晶体管的栅端口与源端口之间加栅源电压Vgs;在所述被测场效应晶体管漏端口与地之间加电压Vdg;测量所述被测场效应晶体管的栅源电容值Cgs;步骤B:将所述被测场效应晶体管的栅端口与源端口之间的栅源电压Vgs与所述被测场效应晶体管漏端口与地之间的电压Vdg相加,得到所述被测场效应晶体管漏端口与源端口之间的相对电压Vds;步骤C:绘制被测场效应晶体管栅源电容值Cgs相对于栅源电压Vgs和漏源电压Vds的变化规律曲线Cgs(Vgs,Vds)。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |