一种氮化镓基LED外延片及其生长方法

摘要

本发明涉及一种氮化镓基LED外延片及其生长方法，即在氮化镓基LED外延片中引入电容式结构，该电容式结构包括n型电容式结构和p型电容式结构，n型电容式结构为氮化镓基n型层/非掺杂层/氮化镓基n型层结构；p型电容式结构为氮化镓基p型层/非掺杂层/氮化镓基p型层结构；通过在n型和p型氮化镓层中形成电容式外延结构，缓解静电对氮化镓基LED芯片的冲击，提高LED芯片对静电的耐受能力。

主权项

一种氮化镓基LED外延片，其结构自下而上依次为蓝宝石衬底、低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和高掺杂p型氮化镓电极接触层，其特征在于该氮化镓基LED外延片含有电容式结构，所述的电容式结构包括1～20个循环的n型电容式结构和1～20个循环的p型电容式结构；所述的n型电容式结构为氮化镓基n型层/非掺杂层/氮化镓基n型层结构；所述的p型电容式结构为氮化镓基p型层/非掺杂层/氮化镓基p型层结构；所述的n型电容式结构位于n型氮化镓层内部或者非掺杂氮化镓层与n型氮化镓层之间或者n型氮化镓层与多量子阱层之间；所述的p型电容式结构位于p型氮化镓层内部或者p型铝镓氮层和p型氮化镓层之间或者p型氮化镓层和高掺杂氮化镓基电极接触层之间或者p型铝镓氮层和p型氮化镓层之间；所述的氮化镓基n型层为n型氮化镓或n型铝镓氮，厚度为10～150nm；氮化镓基p型层为p型氮化镓或p型铝镓氮，厚度为2nm到50nm；非掺杂层为非掺杂氮化镓或者非掺杂铟镓氮，厚度为2～300nm。