| 发明名称 | 减少HDP CVD工艺中的等离子体诱发损伤的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种减少HDP CVD工艺中的等离子体诱发损伤的方法，该方法包括：将所需处理的晶圆放置于高密度等离子体反应腔中，依次进行稳定压力处理工艺、等离子体激发处理工艺和气体流通处理工艺；进行第一次富氧二氧化硅保护层沉积工艺；进行富硅二氧化硅保护层沉积工艺，以沉积一富硅二氧化硅保护层；进行加热处理工艺；依次进行第二次富氧二氧化硅保护层沉积工艺、预置偏压处理工艺和主体层沉积工艺。通过上述的方法，可有效地减少等离子体诱发损伤现象的出现，提高半导体器件的良率和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102110635A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN200910200989.X | 申请日期 | 2009.12.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 徐强;李敏;吴永玉;吴永坚 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种减少HDP CVD工艺中的等离子体诱发损伤的方法，该方法包括：将所需处理的晶圆放置于高密度等离子体反应腔中，依次进行稳定压力处理工艺、等离子体激发处理工艺和气体流通处理工艺；进行第一次富氧二氧化硅保护层沉积工艺；进行富硅二氧化硅保护层沉积工艺，以沉积一富硅二氧化硅保护层；进行加热处理工艺；依次进行第二次富氧二氧化硅保护层沉积工艺、预置偏压处理工艺和主体层沉积工艺。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||