相变层及其形成方法,相变存储器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种相变材料层及其形成方法，相变存储器件及其形成方法。该相变材料层是包括上层部分和下层部分的单层。上层部分和下层部分的的晶格是不同的。相变材料层通过供应带有掺杂气体的第一源到衬底形成掺杂的下层而形成。停止该掺杂气体的供应并且通过供应第二源到下层上而形成非掺杂的上层。形成上层和下层使得该上层和下层的晶格不同。

主权项

一种相变材料层，包括：单层，包括上层部分和下层部分，该上层部分和该下层部分的晶格不同。