发明名称 钝化和密封CdTe和CZT分段探测器的方法
摘要 一种形成钝化层的方法,包括将宽带隙半导体材料的至少一个表面与包括碱性次氯酸盐的钝化剂接触以在所述至少一个表面上形成钝化层。该钝化层可以利用密封材料层被密封。
申请公布号 CN102113136A 申请公布日期 2011.06.29
申请号 CN200980130423.2 申请日期 2009.06.24
申请人 雷德伦科技公司 发明人 H.陈;卢平和;S.阿瓦达拉
分类号 H01L31/115(2006.01)I;H01L23/28(2006.01)I 主分类号 H01L31/115(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 李娜;蒋骏
主权项 一种形成钝化层的方法,包括:将宽带隙半导体材料的至少一个表面与包括碱性次氯酸盐的钝化剂接触以在所述至少一个表面上形成钝化层。
地址 加拿大英属哥伦比亚省