形成有沟道应力层的半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提出一种形成有沟道应力层的半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅介质层，形成在所述栅介质层之上的栅极，以及形成在所述衬底之中且位于所述栅极两侧的源极和漏极；形成在所述栅介质层和所述栅极两侧的一个或多个侧墙；和形成在所述栅极之下，且位于所述衬底之中的嵌入应力层。在本发明实施例中通过在栅极之下的沟道内增加的嵌入应力层，可以有效地增加载流子的迁移率，从而改善晶体管的驱动电流。另外，在本发明形成该嵌入应力层的工艺流程中具有较低的热预算，因此有助于在沟道区域保持较高的应力级别。另外，除了应力方面的优势外，沟道内的嵌入应力层还可以减少从重掺杂源极和漏极区域的B(硼)的扩散/侵入。

主权项

一种形成有沟道应力层的半导体结构，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅介质层，形成在所述栅介质层之上的栅极，以及形成在所述衬底之中且位于所述栅极两侧的源极和漏极；形成在所述栅介质层和所述栅极两侧的一个或多个侧墙；和形成在所述栅极之下，且位于所述衬底之中的嵌入应力层。