| 发明名称 | 化合物半导体衬底、半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的化合物半导体衬底(10)由Ⅲ族氮化物构成且表面具有表面层(12)，该表面层(12)含有以Cl换算为200×1010个/cm2以上且12000×1010个/cm2以下的氯化物、和以O换算为3.0原子％以上且15.0原子％以下的氧化物。本发明人经过深入研究，结果新发现：当化合物半导体衬底(10)的表面的表面层(12)含有以Cl换算为200×1010个/cm2以上且12000×1010个/cm2以下的氯化物和以O换算为3.0原子％以上且15.0原子％以下的氧化物时，化合物半导体衬底(10)与形成于其上的外延层(14)之间的界面处的Si减少，结果界面处的电阻降低。 | ||
| 申请公布号 | CN102112666A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN200980130082.9 | 申请日期 | 2009.01.26 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 石桥惠二;中西文毅 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种化合物半导体衬底，其由III族氮化物构成且表面具有表面层，该表面层中含有以Cl换算为200×1010个/cm2以上且12000×1010个/cm2以下的氯化物和以O换算为3.0原子％以上且15.0原子％以下的氧化物。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||