发明名称 类金刚石碳膜成膜装置及形成类金刚石碳膜的方法
摘要 本发明涉及类金刚石碳膜成膜装置及形成类金刚石碳膜的方法。本发明的使用等离子化学真空蒸镀法的类金刚石碳膜成膜装置,具有用于向由导电性的掩膜材料(3)包围的基体(2)所构成的部件(4)与类金刚石碳膜成膜装置的腔室(5)的侧壁之间施加电压的直流单脉冲电源(6)、叠加用直流电源(26)与/或高频率电源(7),选择以直流单脉冲电源(6)和上述叠加用直流电源(26)向上述部件(4)施加负的单脉冲电压,或选择向上述部件(4)施加高频率电源(7)的高频率电压,在以掩膜材料(3)包围的上述基体(2)上形成片段结构的类金刚石碳膜。
申请公布号 CN102112650A 申请公布日期 2011.06.29
申请号 CN200980104726.7 申请日期 2009.02.10
申请人 株式会社iMott 发明人 大竹尚登;松尾诚;岩本喜直
分类号 C23C16/27(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;C23C16/515(2006.01)I 主分类号 C23C16/27(2006.01)I
代理机构 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 代理人 贺小明
主权项 一种使用化学真空蒸镀法的类金刚石碳膜成膜装置,其特征是具有连接于以导电性掩膜材料(3)包围基体(2)的部件(4)上的电源的阴极电极、连接于类金刚石碳膜成膜装置(1)的腔室(5)的侧壁上的阳极电极、向上述部件施加电压的直流单脉冲电源(6)与/或高频率电源(7),以上述直流单脉冲电源(6)及上述叠加用直流电源(26)向上述阴极电极与上述阳极电极之间施加负的单脉冲电压,与/或施加上述高频率电源(7)的高频率电压,在以上述掩膜材料(3)包围的上述基体(2)上形成片段结构的类金刚石碳膜。
地址 日本神奈川县