发明名称 一种提高微型低电容保护器件功率耐量的结构设计
摘要 随着通讯设备传输速度的不断加快,数据线保护器件电容越来越小,但功率耐量仍然较高,传统的加工结构已无法达到设计要求。尽管将瞬态电压抑制芯片和低电容器件芯片集成在同一芯片上可减少芯片占有空间,但功率耐量将受到损失。一种提高微型低电容保护器件功率耐量的结构设计所采用一组瞬态电压抑制(TVS)芯片同低电容器件独立设计,采用如附图的结构封装,芯片加工难度大大减小,并可适当加大TVS面积,同低电容器件装配在同一微型封装体内,解决了低电容高功率的矛盾。
申请公布号 CN102110619A 申请公布日期 2011.06.29
申请号 CN200910259981.0 申请日期 2009.12.24
申请人 淮永进;北京燕东微电子有限公司 发明人 淮永进
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种提高微型低电容器件功率耐量的结构设计,是在特殊制作的引线框架1上放置两个芯片,然后再在框架的另一端2处放置一个或者两个芯片,形成单路或双路器件。
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