| 发明名称 | 使用光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)金属层和介质层交替出现形成多层互连封装结构。所述的方法是在硅基板上腐蚀或刻蚀出埋置用腔体，溅射金属种子层并电镀形成GND，埋入MMIC芯片，使用导电胶粘结芯片与基板，涂敷光敏BCB并光刻显影出互连通孔图形，固化等工艺步骤，实现多层MMCM封装。所述的介质层厚度为20-35μm。在多层互连结构中还可集成电容、电阻、电感、功分器和天线无源器件，或者通过表面贴装工艺集成分立元器件，实现模块的功能化。 | ||
| 申请公布号 | CN102110673A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN201010523659.7 | 申请日期 | 2010.10.27 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 汤佳杰;罗乐;徐高卫;袁媛 |
| 分类号 | H01L25/00(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 一种使用光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)金属层和介质层交替出现形成多层互连封装结构。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||