发明名称 宽带读写存储器装置
摘要 本发明属于集成电路设计领域,提供了一种高读写带宽的存储器装置。具体为对存储器除正常读写口外增加宽带数据读写口,有宽带读、正常带宽读、宽带写和正常带宽写四种模式。存储器阵列共用字线的不同列存储器单元能够通过宽带数据写入口同时做写入操作,读出时输入地址对应的存储器单元内的值被读出后与其共用字线的所有其他列存储器单元内部值可通过宽带数据读出口被读出。同一时钟周期内可对存储器阵列不同存储行进行先读后写操作。多个存储器阵列可共用一组读出装置,不同阵列的读写操作可同时进行。
申请公布号 CN102110464A 申请公布日期 2011.06.29
申请号 CN200910247456.7 申请日期 2009.12.26
申请人 上海芯豪微电子有限公司 发明人 林正浩;张冰淳
分类号 G11C7/12(2006.01)I;G11C11/4063(2006.01)I 主分类号 G11C7/12(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种存储器装置,包括单数个或复数个存储器阵列(Memory Array)、地址译码装置(Address Decoder)、写入装置(Write In Apparatus)、读出装置(Read OutApparatus),所述单数个存储器阵列由共用字线(Word Lines)与位线(Bit Lines)的复数个存储单元(Memory Cells)构成,其存储单元由行地址(Row Address)通过选择字线确定阵列中的一行,列地址(Column Address)选择同一位(Bit)中复数列中一列的方式寻址,其中同一位的复数个位线或复数组差分位线共享一个所述读出装置,在正常写入模式时,所述地址译码装置将行地址译码并打开所述存储器阵列中对应存储行的字线后,所述写入装置将输入的一组数据写入由列地址决定的该行中的单数列存储单元内;在正常读出模式时,所述地址译码装置将行地址译码并打开所述存储器阵列中对应存储行的字线后,所述读出装置将由列地址决定的该行中的一列存储单元内的值读出;其特征在于所述存储器装置具有以下部分或全部装置:(1)宽带写入装置,写入时输入的行地址经所述地址译码装置译码后打开所述存储器装置中对应行存储单元的字线,所述宽带写入装置控制复数组数据同时写入受同一字线控制的复数列的存储单元中;(2)宽带读出装置,读出时由输入的行地址与列地址决定的一组存储器单元内的值被读出后所述宽带读出装置将受同一字线控制的所有复数列的存储器单元内的值读出;(3)宽带读出选择装置,用于宽带读出时存储宽带读出数据并通过选择器依次读出;(4)读后写时序控制装置,控制同一时钟周期内对所述存储器阵列存储行先读后写;所述读写可以对不同行进行操作;(5)存储器阵列选择装置,所述存储器中复数个存储器阵列共用所述存储器阵列选择装置,属于不同阵列的字线可同时打开,在某个阵列做读出操作同时其他阵列可做写入操作。
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