一种纳米尺寸空气槽的制作方法

摘要

本发明提供了一种纳米尺寸空气槽的制作方法，包括：光刻步骤，在顶层为硅材料，底层为任意材料的衬底表面，利用光刻技术将曝光图形转移到光刻胶上，控制图形的最小线条尺寸在纳米量级；刻蚀步骤，采用光刻胶作掩模，利用干法刻蚀技术对顶层硅材料进行刻蚀，形成纵向刻蚀槽；氧化步骤，利用热氧化技术在顶层硅材料表面形成一层薄氧化层；沉积步骤，利用化学气相沉积技术，采用沉积源材料向刻蚀槽中填充氧化硅，最终形成纳米尺寸的空气槽。本发明克服了采用传统方法难以制作三角形截面的亚微米空气槽，波导侧壁粗糙等技术难点，利用标准微电子工艺即可以制作纳米尺寸的空气槽。

主权项

一种纳米尺寸空气槽的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：光刻步骤，在顶层为硅材料，底层为任意材料的衬底表面，利用光刻技术将曝光图形转移到光刻胶上；刻蚀步骤，采用光刻胶作掩模，利用干法刻蚀技术对顶层硅材料进行刻蚀，形成纵向刻蚀槽；氧化步骤，利用热氧化技术在顶层硅材料表面形成一层氧化层，该氧化层的厚度在7纳米到15纳米之间；沉积步骤，利用化学气相沉积技术，采用沉积源材料向刻蚀槽中填充氧化硅，最终形成纳米尺寸的空气槽，该空气槽的横截面形状为等腰三角形或等腰梯形，且该横截面为等腰梯形的空气槽是通过在沉积过程中，当空气槽顶部未封口时即停止沉积而形成的。