发明名称 表面具微弧氧化陶瓷膜的铝合金及其制备方法
摘要 一种铝合金,包括一铝合金基体及形成于该基体表面的微弧氧化陶瓷膜,所述陶瓷膜包括一底部过渡层,该陶瓷膜还包括一中间致密层及一表面致密层。一种铝合金的制备方法,用以使该铝合金表面生成无疏松层的微弧氧化陶瓷膜,其包括如下步骤:将铝合金基体置于含电解液的氧化槽中;采用恒定电流对该铝合金基体进行初始氧化处理;采用正负双向脉冲电压对铝合金基体继续进行氧化处理,所述正负向电压上升到最大值后保持恒定,最大恒定正电压为450V~650V,最大恒定负电压为30V~200V,正负向脉宽为1000~10000μs,脉间为300~2000μs,所述继续氧化处理时间为30~180分钟,处理温度在20~50℃之间。
申请公布号 CN101608332B 申请公布日期 2011.06.29
申请号 CN200810302204.5 申请日期 2008.06.19
申请人 深圳富泰宏精密工业有限公司 发明人 戴丰源;罗勇达;韩婧;张保申;刘伟;乔勇;严琦琦;何纪壮
分类号 C25D11/04(2006.01)I 主分类号 C25D11/04(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种铝合金,其包括一铝合金基体及形成于该基体表面上的微弧氧化陶瓷膜,所述陶瓷膜包括一底部过渡层,其特征在于:该陶瓷膜还包括一中间致密层及一表面致密层;该铝合金的制备包括如下步骤:将铝合金基体置于含电解液的氧化槽中;采用恒定电流对该铝合金基体进行初始氧化处理;采用正负双向脉冲电压对铝合金基体继续进行氧化处理,所述正负向电压上升到最大值后保持恒定,其中最大恒定正电压为450V~650V,最大恒定负电压为30V~200V,正负向脉宽设置为1000~10000μs,脉间为300~2000μs,继续氧化处理时间为30~180分钟,处理温度在20~50℃之间。
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