| 发明名称 | 化合物薄膜太阳能电池、化合物薄膜太阳能电池的制造方法及化合物薄膜太阳能电池模块 | ||
| 摘要 | 本发明提供：化合物薄膜太阳能电池、化合物薄膜太阳能电池的制造方法及化合物薄膜太阳能电池模块。解决以往的缓冲层耐热性低，工艺、模块结构复杂的问题。作为n型的缓冲层，采用将TiO2作为母材，将ZrO2、HfO2、GeO2、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3、K(Ta、Nb)O3、Na(Ta、Nb)O3中的任一种或多种作为带隙调整用的添加材料；将BaTiO3作为母材，将SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3中的任一种或多种作为带隙调整用的添加材料；将K(Ta、Nb)O3作为母材，将Na(Ta、Nb)O3作为带隙调整用的添加材料。 | ||
| 申请公布号 | CN102110722A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN201010254421.9 | 申请日期 | 2010.08.13 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 楠敏明;佐川雅一;小松正明 |
| 分类号 | H01L31/04(2006.01)I;H01L31/0248(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 化合物薄膜太阳能电池，其特征在于，具备：基板、透明电极、设置于所述基板和所述透明电极之间的化合物薄膜半导体、设置于所述基板和所述化合物薄膜半导体之间的背面电极、以及设置于所述透明电极和所述化合物薄膜半导体之间的n型缓冲层，所述n型缓冲层含有TiO2、BaTiO3、K(Ta、Nb)O3中的任一种或多种。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||