发明名称 | 存储器的存储单元阵列 | ||
摘要 | 一种存储器的存储单元阵列包括主存储单元阵列及选择阵列。主存储单元阵列包括区域位线、字符线及存储单元。选择阵列包括主位线、位线晶体管控制线、晶体管及定值存储单元。区域位线包含第一与第二区域位线。存储单元各对应于一区域位线及一字符线并与之相接而供储存资料用。晶体管耦接主位线、第一区域位线与位线晶体管控制线,且可受位线晶体管控制线的控制而选择性地导通主位线与第一区域位线。定值存储单元耦接主位线、第二区域位线与位线晶体管控制线,且被程序化至一定值而使得其阀值电压大于晶体管的阀值电压。 | ||
申请公布号 | CN102110466A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
申请号 | CN200910265611.8 | 申请日期 | 2009.12.28 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈重光 |
分类号 | G11C7/18(2006.01)I | 主分类号 | G11C7/18(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种存储器的存储单元阵列,包括:一主存储单元阵列,包括:多条区域位线,至少包含一第一区域位线与一第二区域位线;多条字符线;多个存储单元,各对应于一区域位线及一字符线并与之相接而供储存资料用;以及一选择阵列,包括:至少一条主位线;至少一第一位线晶体管控制线;至少一第一晶体管,耦接该主位线、该第一区域位线、与该第一位线晶体管控制线,且可受该第一位线晶体管控制线的控制而选择性地导通该主位线与该第一区域位线;及至少一第一定值存储单元,耦接该主位线、该第二区域位线、与该第一位线晶体管控制线,且被程序化至一定值而使得其阀值电压大于该第一晶体管的阀值电压。 | ||
地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 |