| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有铜或铜合金制成的插塞与布线的改进的防铜扩散功能的半导体器件及其制造方法，其中该方法包括下述步骤：(a)在形成于半导体衬底上的含氧绝缘体的表面上形成阻挡金属层，该阻挡金属层由难熔金属、含难熔金属元素的合金或难熔金属元素的氮化物制成；(b)在该阻挡金属层上形成铜合金膜；以及(c)于在该阻挡金属层的部分表面区域上，该铜合金膜中的铜以及合金元素与该绝缘体中的氧相互扩散的条件下，执行热处理，以形成金属氧化膜。利用本发明，可以改进半导体器件的防扩散功能。 | ||
| 申请公布号 | CN101504932B | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN200910128521.4 | 申请日期 | 2005.10.28 |
| 申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 小浦由美子;北田秀树;小泽清 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 郑小军;陈昌柏 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在含氧绝缘体中形成凹槽，所述绝缘体形成于半导体衬底上；(a)在所述绝缘体的表面上以及所述凹槽的内表面上形成阻挡金属层，该阻挡金属层由难熔金属、含难熔金属元素的合金或难熔金属元素的氮化物制成；(b)在该阻挡金属层上形成包含铜合金的金属膜，所述凹槽填充有所述金属膜；以及(c)于在该阻挡金属层的部分表面区域上，该铜合金中的铜以及合金元素与该绝缘体中的氧相互扩散的条件下，执行热处理，以形成金属氧化膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横浜市 | ||