序列号发生器及其形成方法、集成电路及其形成方法

摘要

一种序列号发生器及形成方法、集成电路及形成方法，其中序列号发生器包括衬底，至少一个序列号单元，各序列号单元分别包括第一阱区，形成于衬底内；第一栅介质层和第一多晶硅栅极，依次形成于第一阱区上；第二栅介质层和第二多晶硅栅极，依次形成于衬底上，第二栅介质层覆盖部分第一阱区；第一掺杂区，形成于第一栅介质层和第二栅介质层之间、第一阱区内，第一栅介质层覆盖部分第一掺杂区；第二掺杂区，形成于衬底内，第二栅介质层覆盖部分第二掺杂区。本发明改进序列号发生器的结构，使含有该器件的集成电路可以利用现有的CMOS工艺形成，工艺简单，降低制造成本；而且不需要用到激光设备，降低了制造成本。

主权项

一种序列号发生器，包括衬底和至少一个序列号单元，其特征在于，各序列号单元分别包括：第一阱区，形成于所述衬底内；第一栅介质层和第一多晶硅栅极，依次形成于所述第一阱区上；第二栅介质层和第二多晶硅栅极，依次形成于所述衬底上，所述第二栅介质层的一侧覆盖部分第一阱区；第一掺杂区，形成于所述第一栅介质层和第二栅介质层之间、第一阱区内，所述第一栅介质层的一侧覆盖部分第一掺杂区；第二掺杂区，形成于所述第二栅介质层另一侧的衬底内，所述第二栅介质层的另一侧覆盖部分第二掺杂区。