发明名称 固态成像装置和成像系统
摘要 本发明涉及固态成像装置和成像系统。根据本发明的固态成像装置的特征在于,向复位MOS晶体管的栅极施加的复位栅极电压VresH比与放大MOS晶体管和复位MOS晶体管的漏极连接的电源的电源电压SVDD低。
申请公布号 CN102110701A 申请公布日期 2011.06.29
申请号 CN201010597252.9 申请日期 2010.12.21
申请人 佳能株式会社 发明人 沖田彰;箕轮雅章
分类号 H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 杨国权
主权项 一种具有多个像素的固态成像装置,每个像素包括:光电转换单元,被配置为执行入射光的光电转换;放大MOS晶体管,被配置为基于由所述光电转换单元产生的电荷来输出信号;和复位MOS晶体管,被配置为使所述放大MOS晶体管的栅极电势复位,其中所述放大MOS晶体管是N型埋沟MOS晶体管,以及用于将所述复位MOS晶体管设定在导通状态的向所述复位MOS晶体管的栅极施加的电压比向所述复位MOS晶体管的漏极施加的电压低。
地址 日本东京