发明名称 |
固态成像装置和成像系统 |
摘要 |
本发明涉及固态成像装置和成像系统。根据本发明的固态成像装置的特征在于,向复位MOS晶体管的栅极施加的复位栅极电压VresH比与放大MOS晶体管和复位MOS晶体管的漏极连接的电源的电源电压SVDD低。 |
申请公布号 |
CN102110701A |
申请公布日期 |
2011.06.29 |
申请号 |
CN201010597252.9 |
申请日期 |
2010.12.21 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
沖田彰;箕轮雅章 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
杨国权 |
主权项 |
一种具有多个像素的固态成像装置,每个像素包括:光电转换单元,被配置为执行入射光的光电转换;放大MOS晶体管,被配置为基于由所述光电转换单元产生的电荷来输出信号;和复位MOS晶体管,被配置为使所述放大MOS晶体管的栅极电势复位,其中所述放大MOS晶体管是N型埋沟MOS晶体管,以及用于将所述复位MOS晶体管设定在导通状态的向所述复位MOS晶体管的栅极施加的电压比向所述复位MOS晶体管的漏极施加的电压低。 |
地址 |
日本东京 |