发明名称 | 一种低温去除硅中硼磷的方法 | ||
摘要 | 一种低温去除硅中硼磷的方法,属于高纯硅的生产技术领域,是硅在锡基合金液中的重结晶净化。该方法将工业硅经过破碎酸洗预处理,与锡基合金加热完全共熔,冷却使硅重新结晶析出,结晶硅快速铸块,破碎酸洗可得硼、磷浓度低的高纯硅。该方法重结晶温度为300~1400℃,硅损失量小于5%。与目前冶金法净化硅相比,可实现硼、磷杂质同步快速去除,操作温度降低600~1700℃。 | ||
申请公布号 | CN102107874A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
申请号 | CN201010620791.X | 申请日期 | 2010.12.23 |
申请人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明人 | 赵立新;王志;郭占成 |
分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 | 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 | 代理人 | 刘月娥 |
主权项 | 一种低温去除硅中硼磷的方法,其特征是:包括以下步骤:(1)工业硅破碎为粒度小于500微米颗粒,用酸酸洗,用去离子水漂洗、烘干,得到预处理后的工业硅粉,其中酸浓度为0.1~100wt%,硅与酸的重量比为1∶0.1~1∶200,酸洗温度10~100℃,酸洗时间0.5~100小时;(2)将步骤(1)得到的预处理工业硅粉与锡基合金混合加热,直至完全熔化为液体,将液相混合物冷却,使硅重新结晶析出,经过固液相分离、酸洗、漂洗和烘干,得到重结晶硅粒,其中硅粉与锡基合金的重量比为1∶0.1~1∶100,加热熔化温度为300~1400℃,重结晶的冷却速率为0.1~100℃/min;(3)将步骤(2)得到的重结晶硅粒重新熔化,快速铸块,破碎酸洗,得到硼、磷杂质低的纯硅。 | ||
地址 | 100080 北京市海淀区中关村北二条1号 |