| 发明名称 | 非易失性半导体存储装置以及控制非易失性半导体存储装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种非易失性半导体存储装置以及一种用于控制该非易失性半导体存储装置的方法。根据本发明的一个方面，提供一种非易失性半导体存储装置，其包括：基底；层叠部分，包括交替地层叠在所述基底上的多个导体层和多个绝缘层，所述多个导体层和所述多个绝缘层中的至少一个层形成标记层；电荷累积膜，形成在存储器塞孔的内表面上，所述存储器塞孔从所述层叠部分的顶面到底面在所述层叠部分中形成；以及半导体柱，通过所述电荷累积膜在所述存储器塞孔内形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101409291B | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN200810178569.1 | 申请日期 | 2008.09.27 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 水上诚;荒井史隆 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 一种非易失性半导体存储装置，包括：基底；层叠部分，包括交替地层叠在所述基底上的多个导体层和多个绝缘层，所述多个导体层和所述多个绝缘层中的至少一个层形成标记层；电荷累积膜，形成在存储器塞孔的内表面上，所述存储器塞孔从所述层叠部分的顶面到底面在所述层叠部分中形成；以及半导体柱，通过所述电荷累积膜在所述存储器塞孔内形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||