一种制备单晶硅绒面的方法

摘要

本发明公开了一种制备单晶硅绒面的方法，它包括以下步骤：1)在75℃～85℃的恒温槽内用45％的碱溶液与去离子水配置浓度为0.05％-0.5％的粗抛液，2)去离子水的配比是87％-98.4％；将0.5％～5％的分析纯碱与去离子水制成浓度为45％的碱溶液，再在75℃～85℃的恒温槽内，将制成的45％的碱溶液与1％～7％的分析纯异丙醇、0.1％～1％的分析纯硅酸钠和剩余的去离子水混合配制成碱腐蚀液；3)将单晶硅片放入粗抛液中进行预清洗1～6min，将单晶硅片取出，温水浸泡后放入碱腐蚀液中进行反应10～30min，将其取出，用去离子水冲洗干净并烘干。本发明制备出的单晶硅绒面的金字塔尺寸小且均匀，提高了电池的吸光能力，缩短了制绒反应时间，降低了生产成本。

主权项

一种制备单晶硅绒面的方法，其特征在于：它包括以下步骤：1)粗抛液的配制：用分析纯碱与去离子水配制成浓度为45％的碱溶液或者直接使用浓度为45％的碱溶液；在75℃～85℃的恒温槽内用45％的碱溶液与去离子水配置浓度为0.05％‑0.5％的粗抛液，2)碱腐蚀液的配制：原料配比，按重量百分比计算，0.5％～5％的分析纯碱、1％～7％的分析纯异丙醇、0.1％～1％的分析纯硅酸钠和87％‑98.4％的去离子水；将所述量的分析纯碱与去离子水制成浓度为45％的碱溶液，再在75℃～85℃的恒温槽内，将制成的45％的碱溶液与所述量的分析纯异丙醇、所述量的分析纯硅酸钠和剩余的去离子水混合配制成碱腐蚀液；3)将单晶硅片放入粗抛液中进行预清洗1～6min，将单晶硅片取出，温水浸泡后放入碱腐蚀液中进行反应10～30min后，将其取出，用去离子水冲洗干净并烘干。