| 发明名称 | 用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜及其制造方法。该用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜，包括被钉扎层、间隔层和自由层，其中所述间隔层为非两性有机材料。采用本发明的方法能得到高均匀性的有机膜，形成的器件质量轻，且制造成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN102110515A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN200910244354.X | 申请日期 | 2009.12.29 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 王云鹏;王文秀;刘东屏;韩秀峰 |
| 分类号 | H01F10/10(2006.01)I;H01F41/14(2006.01)I | 主分类号 | H01F10/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种用于有机磁致电阻器件的磁性多层膜，包括被钉扎层、间隔层和自由层，其特征在于，所述间隔层为非两性有机材料。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||