光电转换装置

摘要

本发明提供一种用于获得高的转换效率的三层型光电转换装置的适当的膜厚构成。一种光电转换装置(100)，在基板(1)上具备透明电极层(2)、层叠有三层具有pin结的电池层(91、92、93)的光电转换层(3)、及背面电极层(4)，其中，设置于光的入射侧的入射部的电池层(91)具有膜厚为100nm以上且200nm以下的非晶质硅i层，相对于光的入射侧设置于相反侧的底部的电池层(93)具有膜厚为700nm以上且1600nm以下的晶质硅锗i层，晶质硅锗i层中的锗原子相对于锗原子和硅原子之和的比例为15原子％以上且25原子％以下，设置于入射部的电池层(91)和底部的电池层(93)之间的中间部的电池层(92)具有膜厚为1000nm以上且2000nm以下的晶质硅i层。

主权项

一种光电转换装置，在基板上具备透明电极层、层叠有三层具有pin结的电池层而成的光电转换层、及背面电极层，其特征在于，所述电池层中设置于光的入射侧的入射部的电池层具有膜厚为100nm以上且200nm以下的非晶质硅i层，相对于光的入射侧设置于相反侧的底部的电池层具有膜厚为700nm以上且1600nm以下的晶质硅锗i层，所述晶质硅锗i层中的所述锗原子相对于锗原子和硅原子之和的比例为15原子％以上且25原子％以下，设置于所述入射部的电池层和所述底部的电池层之间的中间部的电池层具有膜厚为800nm以上且2000nm以下的晶质硅i层。