一种自支撑GaN基发光器件及其制备方法

摘要

本发明公开的自支撑GaN基发光器件，自下而上依次有GaN保护层、GaN缓冲层、n型GaN层、GaN基发光层和p型GaN层。其制备方法如下：先采用分子束外延技术在SiC衬底上依次生长ZnO层和GaN保护层；然后采用金属有机物化学气相沉积技术在GaN保护层上依次生长GaN缓冲层、n型GaN层、GaN基发光层和p型GaN层；再用酸液腐蚀去掉ZnO层，将SiC衬底和GaN基器件薄膜分离。本发明方法简单，通过在SiC衬底上先生长一层ZnO层，有效地提高了GaN基器件薄膜的质量；同时易于将衬底与器件薄膜分离，使SiC衬底可以重复使用，大大降低器件成本。

主权项

一种自支撑GaN基发光器件，其特征是：自下而上依次有GaN保护层(3)、GaN缓冲层(4)、n型GaN层(5)、GaN基发光层(6)和p型GaN层(7)。