| 发明名称 | 混合晶向沟道场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及混合晶向沟道场效应晶体管，在结合界面(360)上方的源/漏区具有的晶向，而结合界面(360)下方的源/漏区具有下部半导体(370)的晶向，使得源/漏区的每个部分的晶向与横向相邻的半导体材料的晶向相同。可选的源/漏延伸区(392)被整个地设置在上部半导体(350)中。可选地，结合界面(360)位于接近源/漏区(380)的底部，使得源/漏区(380)大部分处于上部半导体层(350)中。 | ||
| 申请公布号 | CN101416316B | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN200680014216.7 | 申请日期 | 2006.04.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 约耳·P.·德索扎;德温得拉·K.·萨达纳;凯瑟琳·L.·萨恩格;宋均镛;杨敏;尹海洲 |
| 分类号 | H01L29/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管FET，包括：复合半导体区，包括间隔开的掺杂的源和漏区和位于所述源和漏区之间的沟道；位于所述沟道上的栅电介质，以及位于所述栅电介质上的导电的栅，在所述栅的下方的所述复合半导体区包括具有第一晶向的上部单晶半导体和具有第二晶向的下部单晶半导体，所述第一晶向不同于所述第二晶向，所述上部和下部半导体在结合界面处直接接触并且所述沟道仅位于具有所述第一晶向的所述上部单晶半导体中，所述源和漏区的全部具有所述第二晶向。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||