| 发明名称 | 用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜及其制备方法，该氧化物半导体薄膜材料成分为：(Al2O3)x(Nd2O3)y(In2O3)z(ZnO)(1-x-y-z)，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，0＜1-x-y-z＜1，该氧化物半导体薄膜材料用于制作薄膜晶体管的有源层。这种氧化物半导体薄膜可以用溅射方法制备。本发明的氧化物半导体薄膜具有载流子迁移率高、稳定性好、可以透射可见光等优点，这种氧化物半导体薄膜可以用于制备薄膜晶体管，包括所发明的氧化物半导体薄膜的晶体管可以应用在有机发光显示(OLED)、液晶显示(LCD)、电子纸显示等驱动方面，还可以应用在集成电路领域。 | ||
| 申请公布号 | CN102110718A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN201010513707.4 | 申请日期 | 2010.10.20 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 彭俊彪;兰林锋;王磊 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/26(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 李卫东 |
| 主权项 | 一种用于薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜，其特征在于：该氧化物半导体薄膜材料成分为：(Al2O3)x(Nd2O3)y(In2O3)z(ZnO)(1‑x‑y‑z)，其中，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1，0＜1‑x‑y‑z＜1，该氧化物半导体薄膜材料用于制作薄膜晶体管的有源层。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||