| 发明名称 | 在基板中进行多重注入的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在基板中注入原子和/或离子的方法，包括：a)将离子或原子注入在基板中的第一深度的第一注入，以便形成第一注入平面，b)将离子或原子注入在基板中的第二深度的至少一个第二注入，第二深度与第一深度不同，以便形成至少一个第二注入平面。 | ||
| 申请公布号 | CN102113112A | 申请公布日期 | 2011.06.29 |
| 申请号 | CN200980130382.7 | 申请日期 | 2009.07.07 |
| 申请人 | S.O.I.泰克绝缘体硅技术公司 | 发明人 | 托马斯·西格纳玛谢克斯;克里斯特尔·德古特;弗雷德里克·马泽恩 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李丙林;张英 |
| 主权项 | 在基板中注入原子和/或离子的方法，包括：a)将离子或原子注入在所述基板中的第一深度的第一注入，以便形成第一注入区域，b)将离子或原子注入在所述基板中的第二深度的至少一个第二注入，所述第二深度与所述第一深度不同，以便形成至少一个第二注入区域，所述第二注入平面与所述第一注入平面同时产生。 | ||
| 地址 | 法国伯尼恩 | ||