发明名称 一种仅采用低压MOS管实现的负电压电荷泵电源电路
摘要 本实用新型公开一种仅采用低压MOS管实现的负电压电荷泵电源电路,包括一P型场效应晶体管、四个N型场效应晶体管和两个电容,各晶体管栅极连有电平移位模块;P型场效应晶体管源极与衬底相连后连于电源输入端,且漏极与第一N型场效应晶体管漏极相连;第一N型场效应晶体管源极与衬底短接到地电位;第二、三N型场效应晶体管漏极连到地电位,且源极与各自的衬底相连后连于第四N型场效应晶体管漏极;第四N型场效应晶体管衬底与源极短接,并连到电压输出端;第一电容连接于P型场效应晶体管漏极和第二N型场效应晶体管源极;第二电容连到第四N型场效应晶体管源极和地电位。本实用新型实现负电压电源,减小了电荷泵版图面积,并丰富了工艺的选择。
申请公布号 CN201887656U 申请公布日期 2011.06.29
申请号 CN201020623737.6 申请日期 2010.11.25
申请人 帝奥微电子有限公司 发明人 鞠建宏;刘楠
分类号 H02M3/07(2006.01)I 主分类号 H02M3/07(2006.01)I
代理机构 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 代理人 金利琴
主权项 一种仅采用低压MOS管实现的负电压电荷泵电源电路,其特征在于:包括一P型场效应晶体管、四个N型场效应晶体管和两个电容,其中各所述晶体管的栅极连有一电平移位模块;所述的P型场效应晶体管的源极与其自己的衬底相连后连接于电源输入端,且其漏极与第一N型场效应晶体管的漏极相连;所述第一N型场效应晶体管的源极与其衬底相连后连接地电位;所述第二、第三N型场效应晶体管的漏极都连接到地电位,且其源极与其各自的衬底相连后连于所述第四N型场效应晶体管的漏极;所述第四N型场效应晶体管的源极与其衬底相连后连接到电压输出端;所述第一电容的两端分别连接于P型场效应晶体管的漏极和所述第二、三N型场效应晶体管的源极;所述第二电容的两端分别连接到所述第四N型场效应晶体管的源极和地电位。
地址 200235 上海市静安区延安西路726号21K室